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J-GLOBAL ID：202002292473664052   整理番号：20A2237348

Eu添加GaN・InGaN量子井戸を用いた広色域3色積層型LEDの作製

Stacked three-colored light emitting diodes using Eu-doped GaN and InGaN quantum wells

著者 (7件)： 市川修平 (大阪大 大学院) ,  塩見圭史 (大阪大 大学院) ,  森川隆哉 (大阪大 大学院) ,  佐々木豊 (大阪大 大学院) ,  TIMMERMAN Dolf (大阪大 大学院) ,  舘林潤 (大阪大 大学院) ,  藤原康文 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.13a-A302-5  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【はじめに】 次世代を担うディスプレイとして近年注目を集めているマイクロLEDディスプレイの実現には、3原色LEDチップの高集積化が必要不可欠である。実現のためには、同一基板上に(同一材料系で)3原色のLEDを如何に作製するか、がキーテクノ...【本文一部表示】

シソーラス用語： エレクトロルミネセンス ,  電流 ,  発光 ,  波長 ,  スペクトル ,  *ユウロピウム ,  表示装置 ,  *窒化ガリウム ,  青方偏移 ,  MOCVD ,  活性層 ,  *量子井戸
準シソーラス用語： 三原色 ,  *InGaN ,  LEDディスプレイ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (8件)： Eu ,  GaN ,  InGaN ,  量子井戸 ,  色域 ,  3色 ,  LED ,  作製