文献

J-GLOBAL ID：202002297577809785   整理番号：20A2550971

1.3μm InAs量子ドットレーザダイオードの劣化:転位密度と量子ドット層の数の影響【JST・京大機械翻訳】

Degradation of 1.3 μm InAs Quantum-Dot Laser Diodes: Impact of Dislocation Density and Number of Quantum Dot Layers

著者 (10件)： Buffolo Matteo (Department of Information Engineering, University of Padova, Padova, Italy) ,  Rovere Lorenzo (Department of Information Engineering, University of Padova, Padova, Italy) ,  De Santi Carlo (Department of Information Engineering, University of Padova, Padova, Italy) ,  Jung Daehwan (University of California, Santa Barbara, CA, USA) ,  Norman Justin (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara, CA, USA) ,  Bowers John E. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara, CA, USA) ,  Herrick Robert W. (Intel Corporation, Santa Clara, CA, USA) ,  Meneghesso Gaudenzio (Department of Information Engineering, University of Padova, Padova, Italy) ,  Zanoni Enrico (Department of Information Engineering, University of Padova, Padova, Italy) ,  Meneghini Matteo (Department of Information Engineering, University of Padova, Padova, Italy)
資料名： IEEE Journal of Quantum Electronics  (IEEE Journal of Quantum Electronics)
巻： 57  号： 1  ページ： ROMBUNNO.2000108.1-8  発行年： 2021年 
JST資料番号： H0432A  ISSN： 0018-9197  CODEN： IEJQA7  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,シリコンフォトニクスのための1.3μmInAs量子ドット(QD)レーザの劣化機構に及ぼす転位密度と活性層構造の影響を研究した。活性領域における異なる転位密度と異なる数の量子ドット層を持つ2セットの試料の光学挙動を解析した。試料を短期ステップ応力実験と長期定電流運転に供し,支配的な劣化プロセスを調べた。結果は以下を示した。(i)温度安定性は,より低い欠陥密度のおかげで,天然基板上で成長したデバイスではるかに高い。(ii)ロールオフ電流は,QD中のキャリアの低い密度により,より高い層数を持つデバイスでかなり高い。(iii)公称基底状態運転領域では,劣化速度は転位の密度によって制限され,非放射再結合中心の拡散の優先経路として役立つ可能性がある。(iv)極端な注入レベルと動作温度で,デバイスはスペクトル発光の青方偏移を示す。このプロセスに対する可能な説明を,本論文で考察した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 基底状態 ,  電流 ,  発光 ,  *半導体レーザ ,  *転位密度 ,  *ヒ化インジウム ,  活性部位 ,  スペクトル ,  青方偏移 ,  活性層 ,  *量子ドット ,  欠陥密度
準シソーラス用語： 劣化機構 ,  シリコンフォトニクス ,  非放射再結合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (5件)： InAs量子ドット ,  レーザダイオード ,  転位密度 ,  量子ドット ,  数