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J-GLOBAL ID：202002299556432479   整理番号：20A1524990

スパッタ蒸着非晶質SiGe膜の二重結晶化モード【JST・京大機械翻訳】

Dual crystallization modes of sputter-deposited amorphous SiGe films

著者 (5件)： Okugawa M. (Division of Materials and Manufacturing Science, Graduate School of Engineering, Osaka University, 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka 565-0871, Japan) ,  Nakamura R. (Department of Materials Science, Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture University, Gakuen-cho 1-1, Naka-ku, Sakai 599-8531, Japan) ,  Numakura H. (Department of Materials Science, Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture University, Gakuen-cho 1-1, Naka-ku, Sakai 599-8531, Japan) ,  Ishimaru M. (Department of Materials Science and Engineering, Kyushu Institute of Technology, Tobata, Kitakyushu, Fukuoka 804-8550, Japan) ,  Yasuda H. (Research Center for Ultra-High Voltage Electron Microscopy, Osaka University, Mihogaoka 7-1, Ibaraki, Osaka 567-0047, Japan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 128  号： 1  ページ： 015303-015303-9  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質Si(a-Si)とSiGe合金(a-SiGe)のスパッタ蒸着膜の室温での電子照射と熱アニーリングによる結晶化挙動をin situ透過電子顕微鏡により調べた。室温での電子照射では,非常に急速な結晶化,いわゆる爆発結晶化が,より高い電子フラックスで起きたが,より低い電子フラックスでは起こらなかった。その場熱アニールでは,爆発結晶化は,x<50ではGeリッチa-Si_xGe_100-xの低温で優先的に,そして部分的に起こったが,x>50では生じなかった。これらの結果は,a-SiGe中のSi含有量の増加が爆発結晶化の発生を防止することを示した。以前に,爆発結晶化が,成長フロントで液体状,高密度非晶質状態の界面を介して,元のa-Ge膜中で起こることを提案した。a-SiGe中のSiの増加に起因するこの高密度非晶質状態の不安定性の増加は,明らかに爆発結晶化の抑制をもたらす。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  *結晶化 ,  蒸着膜 ,  低温 ,  電子顕微鏡観察 ,  電子照射 ,  *ケイ素 ,  *非晶質 ,  不安定性 ,  *スパッタ蒸着 ,  透過型電子顕微鏡
準シソーラス用語： SiGe合金 ,  高密度 ,  熱アニーリング ,  *シリコンゲルマニウム ,  結晶化挙動 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  非晶質半導体の構造  (BK04030O) ,  固相転移  (BL04020G) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (2件)： スパッタ蒸着 ,  結晶化