特許
J-GLOBAL ID：202003000058174380

SiC単結晶の製造装置及びSiC単結晶製造用の構造体

発明者：
藤川 陽平

藤川 陽平 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (3件)： 及川 周 ,  荒 則彦 ,  勝俣 智夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-234850
公開番号（公開出願番号）：特開2020-093965
出願日： 2018年12月14日
公開日（公表日）： 2020年06月18日
要約：
【課題】SiCが結晶成長する成長空間の温度分布を設計できるSiC単結晶の製造装置及び断熱ユニットを提供することを目的とする。【解決手段】このSiC単結晶の製造装置は、SiCの単結晶が第1方向に成長する成長空間を内部に有する成長容器と、前記成長容器を覆い、複数のユニットを含む断熱材と、を有し、前記複数のユニットは、第1ユニットと、前記第1ユニットと少なくとも熱伝導率の異なる第2ユニットと、を有し、前記第1ユニットは、黒鉛と金属炭化物とのうち少なくとも一方からなる容器と、前記容器内に交換可能に封入された充填材と、を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1方向にSiCの単結晶が成長できる成長空間を内部に有する成長容器と、 前記成長容器を覆い、複数のユニットを含む断熱材と、を有し、 前記複数のユニットは、第1ユニットと、前記第1ユニットと少なくとも熱伝導率の異なる第2ユニットと、を有し、 前記第1ユニットは、 黒鉛と金属炭化物とのうち少なくとも一方からなる容器と、 前記容器内に交換可能に封入された充填材と、を有する、SiC単結晶の製造装置。
IPC (2件)：
C30B 29/36 ,  C30B 23/00
FI (2件)：
C30B29/36 A ,  C30B23/00
Fターム (8件)：
4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077EG25 ,  4G077HA12 ,  4G077SA04 ,  4G077SA11
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 炭化ケイ素単結晶製造装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-333222   出願人：株式会社ブリヂストン
  • 通電焼結装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-263785   出願人：株式会社アカネ
審査官引用 (1件)

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