特許
J-GLOBAL ID：202003000202824327
シリコンエピタキシャルウェーハのエピタキシャル層の評価方法及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
好宮 幹夫
, 小林 俊弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-118497
公開番号（公開出願番号）：特開2017-224695
特許番号：特許第6634962号
出願日： 2016年06月15日
公開日（公表日）： 2017年12月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 シリコンエピタキシャルウェーハのエピタキシャル層の評価方法であって、
単結晶シリコンからなるベース基板と埋め込み絶縁膜と前記シリコンエピタキシャルウェーハから移設された前記シリコンエピタキシャル層のみから成るSOI層とを有する評価用SOIウェーハを作製する工程と、
該作製した評価用SOIウェーハの前記シリコンエピタキシャル層のみから成るSOI層の表面から励起光を照射してフォトルミネッセンス測定を行うことにより、前記シリコンエピタキシャル層の評価を行う工程とを有し、
前記シリコンエピタキシャル層の評価を行う工程の前に、
調査用SOIウェーハとして、単結晶シリコンからなるベース基板と埋め込み絶縁膜と該ベース基板と導電型が異なる単結晶シリコンからなるSOI層とを有するSOIウェーハを、該SOI層の厚さが異なるようにして複数枚準備する工程を有し、
前記複数枚準備した調査用SOIウェーハのSOI層の表面から励起光を照射してフォトルミネッセンス測定を行い、
該フォトルミネッセンス測定に用いられる励起光が、前記調査用SOIウェーハのベース基板まで到達しないSOI層の厚さAを求め、
前記評価用SOIウェーハを作製する工程において、前記移設されるシリコンエピタキシャル層の厚さを前記A以上として、前記評価用SOIウェーハを作製することを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハのエピタキシャル層の評価方法。
IPC (3件)：
H01L 21/66 ( 200 6.01)
, H01L 27/12 ( 200 6.01)
, H01L 21/02 ( 200 6.01)
H01L 21/66 L
, H01L 27/12 T
, H01L 27/12 B
, H01L 21/02 B
