特許
J-GLOBAL ID：200903021209370673

SOI基板およびその製造方法

発明者：
小椋 厚志

小椋 厚志 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-108202
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307747
出願日： 1998年04月17日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：
【要約】【課題】 水素イオン剥離法によるSOI基板の製造において、活性層の結晶欠陥密度を低減する。【解決手段】 シリコン基板表面へのシリコン酸化膜の形成、支持基板との貼り合わせ、2段階熱処理の各工程によりSOI基板を製造する。この際用いるシリコン基板を低酸素濃度ウエハとすることにより熱処理時の酸素析出を防止し、結晶欠陥生成を抑制できる。1018/cm3 以下の低酸素濃度シリコン基板を使用した場合、活性層の欠陥密度をほぼ0とすることが可能であり、SOI基板上の高性能電子デバイスが実現される。
請求項（抜粋）：
シリコン基板の表面にシリコン酸化膜を形成する工程と、該シリコン酸化膜を通して前記シリコン基板中に水素をイオン注入する工程と、シリコン基板と支持基板とを互いに表面が接触するように重ね合わせる工程と、該重ね合わされたシリコン基板及び支持基板を熱処理してシリコン基板中にイオン注入された水素の位置でシリコン基板の剥離を生じさせてSOI活性層、前記シリコン絶縁膜及び前記支持基板よりなるSOI構造を形成する工程とを有するSOI基板の製造方法において、前記シリコン基板表面の少なくともSOI活性層となる領域を前記熱処理において酸素の析出を起こさない低酸素濃度とすることを特徴とするSOI基板の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/265
FI (3件)：
H01L 27/12 B ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/265 Q
引用特許：
審査官引用 (8件)
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