特許
J-GLOBAL ID:202003000284402263

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  久野 淑己
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-537952
特許番号:特許第6699737号
出願日: 2016年09月09日
請求項(抜粋):
【請求項1】 下電極と、 前記下電極の上に設けられた半導体チップと、 前記半導体チップの上又は下に設けられたプレッシャパッドと、 前記プレッシャパッドと前記半導体チップが重なる構造の上に設けられた上電極と、 前記下電極と前記上電極の距離が予め定められた値より大きくなった場合にだけ、前記下電極と前記上電極の間に新しい電流経路を提供する接続導体と、を備え、 前記下電極と前記上電極の間の距離は可変であり、 前記プレッシャパッドは前記下電極と前記上電極の間の距離にかかわらず前記半導体チップを介して前記下電極と前記上電極を電気的に接続することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件):
H01L 23/48 ( 200 6.01) ,  H01L 25/07 ( 200 6.01) ,  H01L 25/18 ( 200 6.01) ,  H01R 13/24 ( 200 6.01)
FI (3件):
H01L 23/48 G ,  H01L 25/04 C ,  H01R 13/24
引用特許:
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る