特許
J-GLOBAL ID:202003000505239044

基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 永井 浩之 ,  中村 行孝 ,  佐藤 泰和 ,  朝倉 悟 ,  森 秀行
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-110333
公開番号(公開出願番号):特開2017-216404
特許番号:特許第6710582号
出願日: 2016年06月01日
公開日(公表日): 2017年12月07日
請求項(抜粋):
【請求項1】 基板液処理方法において、 ドライエッチングが施されることによって表面にポリマー残渣が付着した基板に、第1の紫外線ランプから第1のピーク波長を有する紫外線を照射することと、 その後に、前記基板にポリマー除去能力を有する洗浄液を供給することと、 を備え、 前記基板に紫外線を照射するために、前記第1のピーク波長を有する紫外線を照射する前記第1の紫外線ランプと、前記第1のピーク波長よりも短い第2のピーク波長を有する紫外線を照射する第2の紫外線ランプとが同じチャンバ内に準備され、前記第1のピーク波長の紫外線は前記第2のピーク波長の紫外線と比較してポリマー残渣除去促進効果に優れ、前記第2のピーク波長の紫外線は前記第1のピーク波長の紫外線と比較して除電効果に優れており、 前記基板液処理方法は、さらに、 ドライエッチングが施された後の前記基板の帯電量に基づいて前記第2の紫外線ランプから前記基板に紫外線を照射すべきか否かを判断することと、 前記第2の紫外線ランプから前記基板に紫外線を照射すべきと判断されたときに、前記第1の紫外線ランプからの紫外線の照射と同時に、前記第2の紫外線ランプから前記基板に紫外線を照射することと を備えたことを特徴とする、基板液処理方法。
IPC (2件):
H01L 21/304 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3065 ( 200 6.01)
FI (5件):
H01L 21/304 645 D ,  H01L 21/304 646 ,  H01L 21/304 643 A ,  H01L 21/302 104 H ,  H01L 21/302 102
引用特許:
審査官引用 (4件)
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