特許
J-GLOBAL ID：202003001431961172
半導体装置
出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所
株式会社半導体エネルギー研究所 について
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-156453
公開番号（公開出願番号）：特開2020-031503
出願日： 2018年08月23日
公開日（公表日）： 2020年02月27日
要約：
【課題】高温環境下でも正常に動作する半導体装置を提供する。【解決手段】第1及び第2の電荷転送スイッチを有する半導体装置。当該半導体装置は、入力電位より例えば低い電位を出力する、チャージポンプとしての機能を有する。第1の電荷転送スイッチは、ダイオード接続されたSiトランジスタを複数有し、当該Siトランジスタが直列に接続されている。第2の電荷転送スイッチは、ダイオード接続されたOSトランジスタを複数有し、当該OSトランジスタが直列に接続されている。第1の電荷転送スイッチが正常に動作する場合には、第1の電荷転送スイッチの出力電位が半導体装置から出力される。半導体装置が高温環境下に置かれている場合等、第1の電荷転送スイッチが正常に動作しない場合には、第2の電荷転送スイッチの出力電位が半導体装置から出力される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
入力端子と、出力端子を有し、前記入力端子に入力された電位より低い電位を、前記出力端子から出力する機能を有する半導体装置であって、
前記半導体装置は、第1の電荷転送スイッチと、第2の電荷転送スイッチと、ポンピングキャパシタと、を有し、
前記第1の電荷転送スイッチは、チャネル形成領域にシリコンを有するトランジスタであるSiトランジスタを複数有し、
前記第2の電荷転送スイッチは、チャネル形成領域に金属酸化物を有するトランジスタであるOSトランジスタを複数有し、
前記入力端子は、前記第1及び第2の電荷転送スイッチと電気的に接続され、
前記出力端子は、前記第1及び第2の電荷転送スイッチと電気的に接続され、
前記ポンピングキャパシタの一方の電極は、前記第1及び第2の電荷転送スイッチと電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
引用特許：
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