電圧調整回路

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-233517
公開番号（公開出願番号）：特開2011-171700
出願日： 2010年10月18日
公開日（公表日）： 2011年09月01日
要約：

【課題】トランジスタにおけるオフ電流を低減し、電圧調整回路における出力電圧の変換効率を向上させる。【解決手段】ゲート、ソース、及びドレインを有し、ゲートがソース又はドレインに電気的に接続され、ソース及びドレインの一方に第1の信号が入力され、チャネル形成層としてキャリア濃度が5×1014/cm3以下である酸化物半導体層を有するトランジスタと、第1の電極及び第2の電極を有し、第1の電極がトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続され、第2の電極にクロック信号である第2の信号が入力される容量素子と、を有し、第1の信号の電圧を昇圧又は降圧し、昇圧又は降圧した電圧である第3の信号を出力信号としてトランジスタのソース及びドレインの他方を介して出力する構成である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ゲート、ソース、及びドレインを有し、前記ゲートが前記ソース又は前記ドレインに電気的に接続され、前記ソース及びドレインの一方に第1の信号が入力され、チャネル形成層として酸化物半導体層を有し、オフ電流が100zA/μm以下であるトランジスタと、第1の電極及び第2の電極を有し、前記第1の電極が前記トランジスタの前記ソース及び前記ドレインの他方に電気的に接続され、前記第2の電極にクロック信号である第2の信号が入力される容量素子と、を有し、前記第1の信号の電圧を昇圧又は降圧し、前記昇圧又は前記降圧した電圧である第3の信号を出力信号として前記トランジスタのソース及びドレインの他方を介して出力する電圧調整回路。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , H01L 21/822 , H01L 27/04 , H01L 21/336 , H02M 3/07

FI (5件)：

H01L29/78 618B , H01L27/04 G , H01L29/78 618Z , H01L29/78 613Z , H02M3/07

Fターム (104件)：

5F038BG01 , 5F038BG05 , 5F038DT10 , 5F038DT11 , 5F038EZ02 , 5F038EZ06 , 5F038EZ14 , 5F038EZ15 , 5F038EZ17 , 5F038EZ20 , 5F110AA03 , 5F110AA06 , 5F110AA14 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110CC10 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD07 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD24 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE24 , 5F110EE30 , 5F110EE44 , 5F110EE48 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG24 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG35 , 5F110GG43 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HJ30 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK08 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK42 , 5F110HM03 , 5F110HM04 , 5F110HM12 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN05 , 5F110NN12 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN36 , 5F110NN40 , 5F110NN72 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110PP35 , 5F110PP38 , 5F110QQ01 , 5F110QQ06 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19 , 5H730AA14 , 5H730BB02 , 5H730BB03 , 5H730BB86 , 5H730BB88 , 5H730DD04 , 5H730FG01 , 5H730ZZ15

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置および表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-127971 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
薄膜トランジスタとその製造方法及び表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-271316 出願人：キヤノン株式会社
特開平2-156676

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