半導体ナノ粒子、その製造方法及び発光デバイス

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (4件)：山尾憲人 , 言上惠一 , 柳橋泰雄 , 膝舘祥治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-119109
公開番号（公開出願番号）：特開2019-218524
出願日： 2018年06月22日
公開日（公表日）： 2019年12月26日
要約：

【課題】低毒性の組成とすることができ、バンド端発光が可能な半導体ナノ粒子を提供する。【解決手段】Ag、In、Mg及びSを含む半導体ナノ粒子であり、半導体ナノ粒子は、組成中のAgの含有率が1.4モル%以上28モル%以下、Inの含有率が5モル%以上36モル%以下、Sの含有率が46モル%以上57モル%以下、Mgの含有率が0.1モル%以上40モル%以下であり、AgとInの合計モル数に対するMgのモル数の比が0.02以上4以下である。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

Ag、In、Mg及びSを含み、組成中のAgの含有率が1.4モル%以上28モル%以下、Inの含有率が5モル%以上36モル%以下、Sの含有率が46モル%以上57モル%以下、Mgの含有率が0.1モル%以上40モル%以下であり、 AgとInの合計モル数に対するMgのモル数の比が0.02以上4以下である半導体ナノ粒子。

IPC (3件)：

C09K 11/62 , C09K 11/08 , H01L 33/50

FI (3件)：

C09K11/62 , C09K11/08 A , H01L33/50

Fターム (18件)：

4H001CA04 , 4H001CF01 , 4H001XA12 , 4H001XA16 , 4H001XA30 , 4H001XA47 , 4H001XA49 , 5F142AA81 , 5F142DA02 , 5F142DA22 , 5F142DA23 , 5F142DA46 , 5F142DA56 , 5F142DA64 , 5F142DA72 , 5F142DA73 , 5F142FA28 , 5F142HA01

引用特許：

出願人引用 (8件)

半導体ナノ粒子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2015-145103 出願人：国立大学法人名古屋大学, 日亜化学工業株式会社
半導体ナノ粒子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-047359 出願人：IDEC株式会社, 国立大学法人大阪大学, 国立大学法人名古屋大学, 神戸天然物化学株式会社
半導体蛍光体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-370937 出願人：京セラ株式会社

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