チップ抵抗器およびその製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人平木国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-042192
公開番号（公開出願番号）：特開2020-145360
出願日： 2019年03月08日
公開日（公表日）： 2020年09月10日
要約：

【課題】チップ抵抗器の基板としてSi3N4基板を使用することで放熱性、熱膨張特性を改善するとともに、焼成膜(抵抗体膜、電極)に膨れを抑制する。【解決手段】直方体形状の絶縁基板と、前記絶縁基板の一面に形成される抵抗体と、前記抵抗体の両端部に形成される電極を有する抵抗器であって、前記絶縁基板は窒化ケイ素セラミックスからなり、前記絶縁基板は表面に改質層が形成されているチップ抵抗器。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

直方体形状の絶縁基板と、前記絶縁基板の一面に形成される抵抗体と、前記抵抗体の両端部に形成される電極を有する抵抗器であって、前記絶縁基板は窒化ケイ素セラミックスからなり、前記絶縁基板は表面に改質層が形成されているチップ抵抗器。

IPC (3件)：

H01C 7/00 , H01C 17/065 , H01C 1/084

FI (3件)：

H01C7/00 110 , H01C17/065 600 , H01C1/084

Fターム (17件)：

5E028AA10 , 5E028BA07 , 5E028BB01 , 5E028CA04 , 5E028GA00 , 5E028JA12 , 5E028JB05 , 5E028JC02 , 5E028JC06 , 5E032BA07 , 5E032BB01 , 5E032CA04 , 5E032CC18 , 5E033AA17 , 5E033AA23 , 5E033AA27 , 5E033BB02

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭63-100794
厚膜抵抗体及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-366680 出願人：イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー

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