特許
J-GLOBAL ID:202003002334146860

チップ抵抗器およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人平木国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2019-042192
公開番号(公開出願番号):特開2020-145360
出願日: 2019年03月08日
公開日(公表日): 2020年09月10日
要約:
【課題】チップ抵抗器の基板としてSi3N4基板を使用することで放熱性、熱膨張特性を改善するとともに、焼成膜(抵抗体膜、電極)に膨れを抑制する。【解決手段】直方体形状の絶縁基板と、前記絶縁基板の一面に形成される抵抗体と、前記抵抗体の両端部に形成される電極を有する抵抗器であって、前記絶縁基板は窒化ケイ素セラミックスからなり、前記絶縁基板は表面に改質層が形成されているチップ抵抗器。【選択図】図2
請求項(抜粋):
直方体形状の絶縁基板と、前記絶縁基板の一面に形成される抵抗体と、前記抵抗体の両端部に形成される電極を有する抵抗器であって、 前記絶縁基板は窒化ケイ素セラミックスからなり、前記絶縁基板は表面に改質層が形成されているチップ抵抗器。
IPC (3件):
H01C 7/00 ,  H01C 17/065 ,  H01C 1/084
FI (3件):
H01C7/00 110 ,  H01C17/065 600 ,  H01C1/084
Fターム (17件):
5E028AA10 ,  5E028BA07 ,  5E028BB01 ,  5E028CA04 ,  5E028GA00 ,  5E028JA12 ,  5E028JB05 ,  5E028JC02 ,  5E028JC06 ,  5E032BA07 ,  5E032BB01 ,  5E032CA04 ,  5E032CC18 ,  5E033AA17 ,  5E033AA23 ,  5E033AA27 ,  5E033BB02
引用特許:
出願人引用 (2件)
  • 特開昭63-100794
  • 厚膜抵抗体及びその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-366680   出願人:イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー
審査官引用 (2件)
  • 特開昭63-100794
  • 厚膜抵抗体及びその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-366680   出願人:イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー

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