特許

J-GLOBAL ID：202003002421743459

窒化物半導体装置および窒化物半導体装置の製造方法

発明者： 田中 亮 ,  高島 信也 ,  上野 勝典 ,  江戸 雅晴
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 龍華国際特許業務法人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-099483
公開番号（公開出願番号）：特開2017-208438
特許番号：特許第6701945号
出願日： 2016年05月18日
公開日（公表日）： 2017年11月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】主面が非極性面である半導体基板と、 前記半導体基板の上方に設けられた、下部窒化物半導体層と、 第1導電型として機能する酸素以外の不純物元素を有しており、酸素濃度が前記不純物元素の濃度よりも低く、且つ、前記下部窒化物半導体層上に直接接して設けられた、第1導電型の上部窒化物半導体層と、 前記上部窒化物半導体層に設けられた、または、前記上部窒化物半導体層上に直接接して設けられた、第2導電型の窒化物半導体領域と を備え、 前記下部窒化物半導体層の酸素濃度は、前記上部窒化物半導体層の酸素濃度よりも高い窒化物半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 29/12 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/739 ( 200 6.01) ,  H01L 21/265 ( 200 6.01) ,  H01L 21/20 ( 200 6.01)

FI (6件)：

H01L 29/78 652 H ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 658 E ,  H01L 29/78 655 C ,  H01L 21/265 601 Z ,  H01L 21/20

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体デバイスを形成するための方法および半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2015-093812   出願人：インフィネオンテクノロジーズアーゲー
• III族窒化物半導体膜およびその製造方法、ならびにIII族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-137270   出願人：住友電気工業株式会社
• 窒化物半導体テンプレート及び発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-250072   出願人：日立電線株式会社