半導体デバイスを形成するための方法および半導体デバイス

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：園田・小林特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-093812
公開番号（公開出願番号）：特開2015-216371
出願日： 2015年05月01日
公開日（公表日）： 2015年12月03日
要約：

【課題】半導体デバイスを形成するための方法および半導体デバイスを提供する。【解決手段】半導体デバイスを形成するための方法(100)が、半導体基板上にエピタキシャル層を堆積させるステップ(110)と、半導体基板からエピタキシャル層の一部分まで酸素を拡散させることによって、エピタキシャル層内に酸素拡散領域を形成するステップ(120)と、400°C〜480°Cの間の温度で15分間を超えて、エピタキシャル層の少なくとも酸素拡散領域において焼戻し処理するステップ(130)とを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体デバイスを形成するための方法(100)であって、半導体基板上にエピタキシャル層を堆積させるステップ(110)と、前記半導体基板から前記エピタキシャル層の一部分まで酸素を拡散させることによって、前記エピタキシャル層内に酸素拡散領域を形成するステップ(120)と、 400°C〜480°Cの間の温度で15分間を超えて、前記エピタキシャル層の少なくとも前記酸素拡散領域において焼戻し処理するステップ(130)とを含む、方法(100)。

IPC (10件)：

H01L 21/322 , H01L 29/12 , H01L 29/78 , H01L 29/739 , H01L 21/336 , H01L 29/872 , H01L 21/329 , H01L 21/265 , H01L 21/22 , H01L 21/20

FI (11件)：

H01L21/322 L , H01L29/78 652T , H01L29/78 655A , H01L29/78 658E , H01L29/86 301D , H01L29/86 301P , H01L29/78 652H , H01L21/265 602A , H01L21/22 C , H01L21/22 S , H01L21/20

Fターム (14件)：

5F152LL02 , 5F152LM09 , 5F152LP09 , 5F152MM02 , 5F152MM04 , 5F152MM07 , 5F152NN03 , 5F152NN05 , 5F152NN07 , 5F152NN09 , 5F152NQ02 , 5F152NQ03 , 5F152NQ06 , 5F152NQ09

引用特許：

審査官引用 (15件)

半導体基板,半導体装置,およびそれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-138168 出願人：トヨタ自動車株式会社, 株式会社SUMCO
半導体シリコン基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-088969 出願人：三菱住友シリコン株式会社
特開昭61-102778

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