特許
J-GLOBAL ID:202003002495540606
半導体デバイス用樹脂組成物、及びこれを用いた半導体デバイス
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
三好 秀和
, 高橋 俊一
, 伊藤 正和
, 高松 俊雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-215581
公開番号(公開出願番号):特開2020-083930
出願日: 2018年11月16日
公開日(公表日): 2020年06月04日
要約:
【課題】半導体デバイスの構成部材間の密着性を向上することができ、かつ粘度安定性に優れる、半導体デバイス用樹脂組成物を提供する。【解決手段】樹脂と、溶剤と、下式(1)で表される1種以上のシランカップリング剤とを含む、半導体デバイス用樹脂組成物。R1n(R2O)3-nSi-X1-Y(1)[式中、R1はメチル基又はエチル基であり、R2Oはそれぞれ独立して、メトキシ基又はエトキシ基であり、X1は、炭素数1〜3のアルキレン基であり、Yは、グリシジルエーテル基、-SH、-SR3、-NH2、又は-NHC2H4NH2であり、nは0又は1であり、R3は、-(X2)p-SiR4m(R5O)3-mであり、X2は炭素数1〜3のアルキレン基であり、R4はメチル基又はエチル基であり、R5Oはそれぞれ独立して、メトキシ基又はエトキシ基であり、pは0又は1であり、mは0又は1である。]【選択図】図1
請求項(抜粋):
樹脂と、溶剤と、下式(1)で表される1種以上のシランカップリング剤とを含む、半導体デバイス用樹脂組成物。
R1n(R2O)3-nSi-X1-Y (1)
[式中、R1はメチル基又はエチル基であり、R2Oはそれぞれ独立して、メトキシ基又はエトキシ基であり、
X1は、炭素数1〜3のアルキレン基であり、
Yは、グリシジルエーテル基、-SH、-SR3、-NH2、又は-NHC2H4NH2であり、
nは0又は1であり、
R3は、-(X2)p-SiR4m(R5O)3-mであり、X2は炭素数1〜3のアルキレン基であり、R4はメチル基又はエチル基であり、R5Oはそれぞれ独立して、メトキシ基又はエトキシ基であり、pは0又は1であり、mは0又は1である。]
IPC (6件):
C08K 5/548
, C08L 77/00
, C08L 79/08
, H01L 21/56
, H01L 23/29
, H01L 23/31
FI (5件):
C08K5/548
, C08L77/00
, C08L79/08
, H01L21/56 R
, H01L23/30 D
Fターム (20件):
4J002CL001
, 4J002CL071
, 4J002CM041
, 4J002CP171
, 4J002EX066
, 4J002EX076
, 4J002EX086
, 4J002GQ00
, 4J002HA01
, 4M109AA01
, 4M109BA01
, 4M109CA21
, 4M109EA02
, 4M109ED01
, 4M109ED03
, 4M109EE01
, 5F061AA01
, 5F061BA01
, 5F061CA21
, 5F061CB12
引用特許: