単結晶ダイヤモンドおよびそれを用いた半導体素子

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-058458
公開番号（公開出願番号）：特開2020-128328
出願日： 2020年03月27日
公開日（公表日）： 2020年08月27日
要約：

【課題】転位密度を低減した単結晶ダイヤモンドの提供。【解決手段】基板1上に形成された単層の単結晶ダイヤモンド層であり、点欠陥を含む第1の単結晶ダイヤモンド層2を備え、第1の単結晶ダイヤモンド層2は、基板1よりも低い転位密度を有する、単結晶ダイヤモンド10。第1の単結晶ダイヤモンド層2上に配置され、基板1よりも低い転位密度を有する第2の単結晶ダイヤモンド層3を更に備える、単結晶ダイヤモンド10。第1の単結晶ダイヤモンド層2は、W、Ta、Re、Fe、Ni、Co、Al、Ga、Ge、IrおよびPのいずれかと、SiおよびMoとを含む、単結晶ダイヤモンド10。単結晶ダイヤモンド10と、第2の単結晶ダイヤモンド層3とショットキー接合を形成する第1の金属と、第1の単結晶ダイヤモンド層2または第2の単結晶ダイヤモンド層3とオーミック接合を形成する第2の金属とを備える半導体素子。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に形成された単層の単結晶ダイヤモンド層であり、点欠陥を含む第1の単結晶ダイヤモンド層を備え、前記第1の単結晶ダイヤモンド層は、前記基板よりも低い転位密度を有する、単結晶ダイヤモンド。

IPC (6件)：

C30B 29/04 , C30B 25/20 , C01B 32/26 , C23C 16/27 , H01L 29/872 , H01L 29/161

FI (10件)：

C30B29/04 G , C30B29/04 X , C30B25/20 , C30B29/04 E , C01B32/26 , C23C16/27 , H01L29/86 301M , H01L29/86 301D , H01L29/86 301F , H01L29/161

Fターム (66件)：

4G077AA03 , 4G077AB01 , 4G077AB10 , 4G077BA03 , 4G077DB07 , 4G077DB19 , 4G077DB21 , 4G077EB01 , 4G077EB06 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EF01 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077TB01 , 4G077TB07 , 4G077TC13 , 4G077TC19 , 4G077TE01 , 4G077TK01 , 4G077TK06 , 4G146AA04 , 4G146AA16 , 4G146AB07 , 4G146AD05 , 4G146AD17 , 4G146AD30 , 4G146BA12 , 4G146BA48 , 4G146BC09 , 4G146BC25 , 4G146BC26 , 4G146BC27 , 4G146BC33B , 4G146CB26 , 4K030AA10 , 4K030AA17 , 4K030BA27 , 4K030BB02 , 4K030BB13 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA01 , 4K030FA10 , 4K030FA17 , 4K030JA01 , 5F045AA01 , 5F045AA03 , 5F045AA08 , 5F045AA09 , 5F045AB07 , 5F045AC08 , 5F045AC19 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF13 , 5F045BB12 , 5F045CA00 , 5F045DA52 , 5F045DA60

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