特許

J-GLOBAL ID：202003003402827133

半導体装置

発明者： 上嶋 和也
出願人/特許権者： ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人筒井国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-199680
公開番号（公開出願番号）：特開2020-067789
出願日： 2018年10月24日
公開日（公表日）： 2020年04月30日
要約：

【課題】信頼性の低下を抑制しながら、低消費電力化を図ることが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、フラッシュメモリ、薄膜BOX-SOIに形成されたSRAM、基板バイアス回路、第1周波数の信号とそれよりも低い第2周波数の信号を生成する第1発振回路および、システムクロックで動作するプロセッサを備える。プロセッサは、フラッシュメモリの電源をオンし、SRAMのしきい値電圧を低くするステップS4_1、S4_2と、第1周波数の信号をシステムクロックとし、フラッシュメモリからSRAMへプログラムを転送するステップS4_3、S4_4と、フラッシュメモリの電源をオフし、第2周波数の信号をシステムクロックとし、SRAMのしきい値電圧を高くし、SRAM上のプログラムを実行するステップS4_5〜S4_8とを実行する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

第1プログラムを格納したROMと、 薄膜BOX-SOI基板上に形成されたSRAMと、 前記SRAMの基板バイアスを制御する基板バイアス回路と、 第1周波数の信号を生成する第1発振回路と、 前記第1周波数よりも低い第2周波数の信号を生成する第2発振回路と、 システムクロック信号に同期して動作するプロセッサと、 を備え、 前記プロセッサは、 前記ROMの電源をオン状態にし、前記基板バイアス回路によって、前記SRAMのしきい値電圧を低くする第1ステップと、 前記第1周波数の信号を、前記システムクロック信号として設定し、前記ROMから前記SRAMへ前記第1プログラムを転送する第2ステップと、 前記ROMの電源をオフ状態にし、前記第2周波数の信号を前記システムクロック信号として設定し、前記基板バイアス回路によって、前記SRAMのしきい値電圧を高くし、前記SRAMに転送された第1プログラムを実行する第3ステップと、 を実行する、半導体装置。

IPC (12件)：

G06F 12/06 ,  G06F 12/00 ,  G06F 1/32 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/06 ,  G06F 15/78 ,  G11C 11/417 ,  G11C 5/14

FI (16件)：

G06F12/06 520F ,  G06F12/00 550E ,  G06F1/32 B ,  G06F1/32 Z ,  G06F1/04 575 ,  H01L27/04 G ,  H01L27/04 D ,  H01L27/088 331E ,  H01L27/088 331D ,  H01L27/092 K ,  H01L27/06 331 ,  G06F15/78 517 ,  G06F15/78 550 ,  G11C11/417 120 ,  G11C5/14 420 ,  G06F12/00 564C

Fターム (55件)：

5B011DA01 ,  5B011EA08 ,  5B011LL02 ,  5B011LL13 ,  5B015HH05 ,  5B015JJ03 ,  5B015JJ05 ,  5B015JJ07 ,  5B015KB66 ,  5B015MM06 ,  5B015MM09 ,  5B015PP06 ,  5B015PP08 ,  5B015QQ02 ,  5B062AA08 ,  5B062CC01 ,  5B062HH02 ,  5B062HH04 ,  5B160CA17 ,  5B160CC03 ,  5B160MM02 ,  5F038BE07 ,  5F038BG02 ,  5F038BG03 ,  5F038BG09 ,  5F038CD02 ,  5F038CD16 ,  5F038DF04 ,  5F038DF05 ,  5F038DF08 ,  5F038DF12 ,  5F038DF17 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ20 ,  5F048AB01 ,  5F048AB04 ,  5F048AB10 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BA20 ,  5F048BB03 ,  5F048BB14 ,  5F048BB16 ,  5F048BC18 ,  5F048BD10 ,  5F048BE02 ,  5F048BE03 ,  5F048BE04 ,  5F048BE05 ,  5F048BE09 ,  5F048BF16 ,  5F048BF18 ,  5F048BG13

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 不揮発性メモリ内蔵マイクロコンピュータ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-163359   出願人：沖電気工業株式会社, 株式会社沖マイクロデザイン
• 半導体集積回路装置およびウェラブル装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-255557   出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社

審査官引用 (2件)

• 不揮発性メモリ内蔵マイクロコンピュータ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-163359   出願人：沖電気工業株式会社, 株式会社沖マイクロデザイン
• 半導体集積回路装置およびウェラブル装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-255557   出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社