特許
J-GLOBAL ID：201603000124317577

半導体集積回路装置およびウェラブル装置

発明者：
蒲原 史朗

蒲原 史朗 について

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山縣 保司

山縣 保司 について

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長谷川 拓実

長谷川 拓実 について

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杉井 信之

杉井 信之 について


出願人/特許権者：
ルネサスエレクトロニクス株式会社

ルネサスエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (4件)： 筒井 大和 ,  菅田 篤志 ,  筒井 章子 ,  坂次 哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-255557
公開番号（公開出願番号）：特開2016-115891
出願日： 2014年12月17日
公開日（公表日）： 2016年06月23日
要約：
【課題】低消費電力化を図りながら安定して動作することが可能な半導体装置を提供することができる。【解決手段】半導体装置は、CPU26と、CPU26の動作速度を指定するシステムコントローラ24と、P型SOTBトランジスタSP1、SP2とN型SOTBトランジスタSN1〜SN4とを有し、CPU26に接続されたSRAM30と、システムコントローラ24に接続され、P型SOTBトランジスタSP1、SP2およびN型SOTBトランジスタSN1〜SN4に、基板バイアス電圧Vsp、Vsnを供給することが可能な基板バイアス回路23を備えている。ここで、システムコントローラ24が、CPU26を低速で動作させる低速モードを指定するとき、基板バイアス回路23は、基板バイアス電圧Vsp、Vsnを、P型SOTBトランジスタSP1、SP2およびN型SOTBトランジスタSN1〜SN4へ供給する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
第1回路と、 前記第1回路の動作速度を指定するモード指定回路と、 P型SOTBトランジスタとN型SOTBトランジスタとを有し、前記第1回路に接続された第2回路と、 前記モード指定回路に接続され、前記P型SOTBトランジスタおよび前記N型SOTBトランジスタに、第1および第2基板バイアス電圧を供給することが可能な基板バイアス回路と、 を備え、 前記モード指定回路が、前記第1回路を第1速度で動作させる第1動作モードを指定するとき、前記基板バイアス回路は、前記第1および第2基板バイアス電圧を、前記P型SOTBトランジスタおよび前記N型SOTBトランジスタへ供給し、前記モード指定回路が、前記第1速度よりも高速な第2速度で前記第1回路を動作させる第2動作モードを指定するとき、前記基板バイアス回路は、前記P型SOTBトランジスタおよび前記N型SOTBトランジスタへ基板バイアス電圧を供給しない、半導体集積回路装置。
IPC (12件)：
H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/11 ,  H01L 27/10 ,  H03K 19/094 ,  G11C 11/413 ,  G11C 11/412
FI (11件)：
H01L27/04 D ,  H01L27/04 G ,  H01L27/08 102A ,  H01L27/08 321A ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/10 381 ,  H01L27/10 461 ,  H03K19/094 D ,  G11C11/34 A ,  G11C11/34 335C ,  G11C11/40 301
Fターム (51件)：
5B015HH01 ,  5B015HH03 ,  5B015JJ03 ,  5B015KB66 ,  5B015KB72 ,  5B015QQ02 ,  5F038CD02 ,  5F038CD04 ,  5F038CD06 ,  5F038CD07 ,  5F038CD08 ,  5F038CD16 ,  5F038DF04 ,  5F038DF05 ,  5F038DF08 ,  5F038DF14 ,  5F038DF17 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ20 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AB04 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048AC04 ,  5F048BA01 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BA20 ,  5F048BB14 ,  5F048BC01 ,  5F048BC18 ,  5F048BE09 ,  5F048BF07 ,  5F048BF16 ,  5F048BF18 ,  5F048BG06 ,  5F048BG11 ,  5F083BS27 ,  5F083BS30 ,  5F083GA05 ,  5F083GA11 ,  5F083HA02 ,  5F083NA01 ,  5F083ZA13 ,  5J056BB17 ,  5J056DD13 ,  5J056EE04 ,  5J056KK01 ,  5J056KK02 ,  5J056KK03
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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