特許
J-GLOBAL ID：202003003600546700
半導体素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
鮫島 睦
, 吉田 環
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-573240
特許番号：特許第6739353号
出願日： 2016年01月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 セラミックス焼結体粒子を含むセラミックス素体と、
前記セラミックス素体の第1の端面に配置される第1の外部電極と、
前記セラミックス素体の第2の端面に配置される第2の外部電極と
を含む半導体素子であって、
前記セラミックス焼結体粒子は、BaおよびTiを少なくとも含むペロブスカイト型化合物であり、
前記セラミックス焼結体粒子の平均粒径が0.4μm以上1.0μm以下であり、
前記半導体素子の一の断面において選択される一の領域を走査型電子顕微鏡で観察することにより算出される、前記一の領域内に存在する前記セラミックス焼結体粒子の周囲長さの合計LG、前記一の領域内に存在するポアの周囲長さの合計LNC、前記一の領域の外周長さLS、および下記式
で表される、前記一の領域内に存在する前記セラミックス焼結体粒子の接触長さLCの値に基づいて、下記式
により算出される前記セラミックス焼結体粒子の接触率が45%以上である、半導体素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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