特許
J-GLOBAL ID：202003003949312936
導電パターン形成用組成物及び導電パターン形成方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
在原 元司
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-508293
特許番号：特許第6737773号
出願日： 2016年03月17日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 導電パターン形成用組成物であって、
(A)炭素原子数が2〜18の有機カルボン酸の金属塩及び有機カルボン酸を配位子として含まない有機金属錯体から選択される少なくとも一種の金属化合物と、
(B)金属材料と、
(C)樹脂と、
(D)溶媒と、
を含み、
前記(A)炭素原子数が2〜18の有機カルボン酸の金属塩及び有機カルボン酸を配位子として含まない有機金属錯体から選択される少なくとも一種の金属化合物の使用量及び前記(B)金属材料の使用量の合計量100質量部に対して(C)樹脂の使用量が1〜5質量部であり、
前記(D)溶媒が有機溶剤であり、
前記(B)金属材料が、(B1)金属粒子を含み、前記(B1)金属粒子の平均粒径が5〜500nmであり、
前記(B)金属材料が、さらに(B2)金属ナノワイヤ及び/又は金属ナノチューブを含み、
(A)炭素原子数が2〜18の有機カルボン酸の金属塩及び有機カルボン酸を配位子として含まない有機金属錯体から選択される少なくとも一種の金属化合物の総量の金属原子換算の質量:(B)(=(B1)+(B2))金属材料の総金属質量=40:60〜4:96、(B1)金属粒子の総金属質量/(B2)金属ナノワイヤ及び/又は金属ナノチューブの総金属質量=4〜50であることを特徴とする導電パターン形成用組成物。
IPC (7件)：
H01B 1/22 ( 200 6.01)
, H01B 1/00 ( 200 6.01)
, H01B 13/00 ( 200 6.01)
, H05K 3/12 ( 200 6.01)
, C08L 101/00 ( 200 6.01)
, C08K 5/098 ( 200 6.01)
, C08K 3/08 ( 200 6.01)
H01B 1/22 A
, H01B 1/00 K
, H01B 13/00 503 D
, H05K 3/12 610 B
, C08L 101/00
, C08K 5/098
, C08K 3/08
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示
前のページに戻る
