特許

J-GLOBAL ID：202003004430474277

化合物半導体装置及びその製造方法

発明者： 鎌田 陽一 ,  尾崎 史朗
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-137821
公開番号（公開出願番号）：特開2018-010936
特許番号：特許第6703269号
出願日： 2016年07月12日
公開日（公表日）： 2018年01月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 キャリア走行層と、 前記キャリア走行層上方のキャリア供給層と、 前記キャリア供給層上方のソース電極及びドレイン電極と、 前記ソース電極と前記ドレイン電極との間で前記キャリア供給層上方のゲート電極と、 前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間で前記キャリア供給層上方の第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜と、 を有し、 前記ゲート電極は、前記第2の絶縁膜上の部分を有し、 前記第2の絶縁膜は、前記第1の絶縁膜の側面を前記ドレイン電極側から覆い、 前記第1の絶縁膜は、平面視で前記第2の絶縁膜の輪郭の内側に形成されており、 前記第2の絶縁膜中の電子トラップの濃度は、前記第1の絶縁膜中の電子トラップの濃度よりも高いことを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 21/338 ( 200 6.01) ,  H01L 29/778 ( 200 6.01) ,  H01L 29/812 ( 200 6.01) ,  H01L 21/316 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  C23C 16/30 ( 200 6.01) ,  C23C 16/34 ( 200 6.01) ,  C23C 16/40 ( 200 6.01)

FI (7件)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 F ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/30 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/40

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-134219   出願人：富士通株式会社
• 化合物半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-219454   出願人：富士通株式会社