特許
J-GLOBAL ID：201503073473697807

半導体装置及びその製造方法

発明者：
鎌田 陽一

鎌田 陽一 について

, 
牧山 剛三

牧山 剛三 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-134219
公開番号（公開出願番号）：特開2015-012037
出願日： 2013年06月26日
公開日（公表日）： 2015年01月19日
要約：
【課題】比較的簡易な構成により、電界集中を緩和し、破壊耐圧を大幅に向上させ、絶縁破壊の確実な抑止を図ることを可能とする信頼性の高い半導体装置を実現する。【解決手段】半導体層2と、半導体層2の上方に形成された保護絶縁膜10と、半導体層2の上方に形成されており、保護絶縁膜10に形成された開口10aを埋め込む第1の部分9aと、第1の部分9a上に位置し、短手方向に沿って第1の部分9aよりも幅広であり保護絶縁膜10上に乗り上げる第2の部分9bとが一体形成された電極9とを含み、保護絶縁膜10は、第2の部分9bの下方を含む半導体層2の上方に形成された第1の絶縁膜7と、第2の部分9bの下方のみに形成され、平面視でその一部が第1の絶縁膜7と重畳する第2の絶縁膜8とを有しており、閾値電圧は、第1の部分9aから第2の部分9bにかけて段階的に低下する。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
半導体層と、 前記半導体層の上方に形成された保護絶縁膜と、 前記半導体層の上方に形成されており、前記保護絶縁膜に形成された開口を埋め込む第1の部分と、前記第1の部分上に位置し、短手方向に沿って前記第1の部分よりも幅広であり前記保護絶縁膜上に乗り上げる第2の部分とが一体形成された電極と を含み、 前記保護絶縁膜は、前記第2の部分の下方を含む前記半導体層の上方に形成された第1の絶縁膜と、前記第2の部分の下方のみに形成され、平面視でその一部が前記第1の絶縁膜と重畳する第2の絶縁膜とを有しており、 閾値電圧は、前記第1の部分から前記第2の部分にかけて段階的に低下することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/41
FI (3件)：
H01L29/80 F ,  H01L29/80 H ,  H01L29/44 S
Fターム (44件)：
4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD34 ,  4M104DD68 ,  4M104DD78 ,  4M104DD79 ,  4M104FF07 ,  4M104GG12 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS01 ,  5F102GS04 ,  5F102GS06 ,  5F102GT01 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC10 ,  5H730AA14 ,  5H730AS04 ,  5H730BB14 ,  5H730BB27 ,  5H730BB86 ,  5H730CC01 ,  5H730DD04 ,  5H730EE02 ,  5H730EE10 ,  5H730EE13
引用特許：
審査官引用 (3件)

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