特許
J-GLOBAL ID：202003004559402841

配線基板およびその製造方法、ならびに半導体装置の製造方法

発明者：
古 川 正

古 川 正 について

, 
細 田 哲 史

細 田 哲 史 について

, 
古 堅 亮

古 堅 亮 について


出願人/特許権者：
大日本印刷株式会社

大日本印刷株式会社 について


代理人 (6件)： 永井 浩之 ,  中村 行孝 ,  佐藤 泰和 ,  朝倉 悟 ,  堀田 幸裕 ,  村田 卓久
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-121927
公開番号（公開出願番号）：特開2017-228581
特許番号：特許第6729044号
出願日： 2016年06月20日
公開日（公表日）： 2017年12月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 厚み方向に延びる放熱用ビアを有するコア基板と、 前記コア基板上に配置された再配線層とを備え、 前記再配線層は、半導体素子が搭載される素子搭載領域と、前記素子搭載領域の周囲に形成された放熱用金属層とを有し、 前記再配線層の前記放熱用金属層が、前記コア基板の前記放熱用ビアに接続され、 前記再配線層は、パターン構造体と、前記パターン構造体に埋設された配線層と、前記パターン構造体に埋設されたダミーパターンとを有し、 前記再配線層の前記放熱用金属層が、前記半導体素子に接続される前記配線層とは電気的に接続されておらず、前記半導体素子に接続されない前記ダミーパターンに電気的に接続されていることを特徴とする配線基板。
IPC (3件)：
H01L 23/12 ( 200 6.01) ,  H05K 3/46 ( 200 6.01) ,  H05K 1/02 ( 200 6.01)
FI (6件)：
H01L 23/12 J ,  H05K 3/46 U ,  H05K 3/46 B ,  H05K 3/46 Q ,  H05K 1/02 Q ,  H01L 23/12 N
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (10件)
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