特許
J-GLOBAL ID：202003004755681465

デバイスの製造方法

発明者：
李 善佶

李 善佶 について

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山口 達也

山口 達也 について

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佐藤 渚

佐藤 渚 について

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野沢 秀二

野沢 秀二 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人酒井国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-214071
公開番号（公開出願番号）：特開2020-080397
出願日： 2018年11月14日
公開日（公表日）： 2020年05月28日
要約：
【課題】凹部を有する被処理体の処理において、凹部を保護すると共に、凹部内の残渣を低減する。【解決手段】デバイスの製造方法は、準備工程と、埋込工程と、積層工程と、第1の除去工程と、処理工程と、第2の除去工程とを含む。準備工程では、凹部を有する被処理体が準備される。埋込工程では、凹部内に熱分解可能な有機材料からなる犠牲材料が埋め込まれる。積層工程では、凹部内に埋め込まれた犠牲材料上に仮封止膜が積層される。第1の除去工程では、被処理体が第1の温度でアニールされることにより犠牲材料が熱分解され、仮封止膜を介して凹部内の犠牲材料が除去される。処理工程では、凹部が仮封止膜で覆われた状態で、凹部以外の被処理体の部分に対して所定の処理が施される。第2の除去工程では、仮封止膜が除去される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
凹部を有する被処理体を準備する準備工程と、 前記凹部内に熱分解可能な有機材料からなる犠牲材料を埋め込む埋込工程と、 前記凹部内に埋め込まれた前記犠牲材料上に仮封止膜を積層する積層工程と、 前記被処理体を第1の温度でアニールすることにより前記犠牲材料を熱分解させ、前記仮封止膜を介して前記凹部内の前記犠牲材料を除去する第1の除去工程と、 前記凹部が前記仮封止膜で覆われた状態で、前記凹部以外の前記被処理体の部分に対して所定の処理を施す処理工程と、 前記仮封止膜を除去する第2の除去工程と を含むデバイスの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/306 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49
FI (4件)：
H01L29/78 301Y ,  H01L21/302 105A ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/58 G
Fターム (36件)：
4M104AA01 ,  4M104BB30 ,  4M104CC05 ,  4M104DD03 ,  4M104DD09 ,  4M104DD20 ,  4M104DD71 ,  4M104EE09 ,  4M104GG14 ,  5F004AA09 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB23 ,  5F004EA04 ,  5F004EA06 ,  5F004EA22 ,  5F004EA28 ,  5F004EB02 ,  5F140BA01 ,  5F140BD11 ,  5F140BF10 ,  5F140BG02 ,  5F140BG09 ,  5F140BG11 ,  5F140BG14 ,  5F140BG44 ,  5F140BG45 ,  5F140BG52 ,  5F140CC01 ,  5F140CC03 ,  5F140CC08 ,  5F140CC12 ,  5F140CC19 ,  5F140CE06 ,  5F140CE13 ,  5F140CE14
引用特許：
出願人引用 (3件)

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