特許
J-GLOBAL ID：202003004938546958
斜面エッチングプロファイル制御
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
園田・小林特許業務法人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-560643
公開番号（公開出願番号）：特表2020-520097
出願日： 2018年05月07日
公開日（公表日）： 2020年07月02日
要約：
斜面エッチング処理のための方法及び装置が提供され、基板の上方に配置されたマスクを含む処理チャンバに基板を置くことであって、基板がエッジ及び中心を有し、かつ堆積層を含む、基板を置くことを含む。方法は、マスクの外面に沿って基板のエッジにプラズマを流すことと、エッジをプラズマに曝露することと、プラズマでエッジから堆積層をエッチングすることとを含む。方法は、マスクの内面に位置付けられた2つ以上の開口部から基板の中心にパージガスを流すことと、中心の基板の上面をパージガスに曝露し、中心から上面に沿ってエッジに向かってパージガスを径方向に流し、プラズマ及びパージガスの界面にエッチングプロファイルを形成することとを更に含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
処理チャンバの内部のカバープレートの上に基板を置くことであって、前記基板がエッジ及び中心を有し、かつ前記エッジ及び前記中心の上に堆積層を含み、前記処理チャンバが、前記基板の上方に配置されたマスクを含む、基板を置くことと、
前記マスクの外面に沿って前記基板の前記エッジにプラズマを流すことと、
前記エッジにおいて前記基板の上面を前記プラズマに曝露し、前記プラズマで前記エッジから前記堆積層をエッチングすることと、
前記マスクの内面に位置付けられた2つ以上の開口部から前記基板の前記中心にパージガスを流すことと、
前記中心において前記基板の前記上面を前記パージガスに曝露し、前記中心から前記上面に沿って前記エッジに向かって前記パージガスを径方向に流し、前記プラズマ及び前記パージガスの界面にエッチングプロファイルを形成することと
を含む方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (19件)：
2G084AA02
, 2G084AA05
, 2G084BB14
, 2G084DD37
, 2G084FF02
, 5F004AA01
, 5F004BA03
, 5F004BB18
, 5F004BB26
, 5F004BB29
, 5F004CA05
, 5F004DA01
, 5F004DA02
, 5F004DA17
, 5F004DA22
, 5F004DA23
, 5F004DA25
, 5F004DA26
, 5F004EA20
