特許
J-GLOBAL ID：201403053026321486

温度制御式ホットエッジリング組立体

発明者：
ディンドサ・ラジンダー

ディンドサ・ラジンダー について


出願人/特許権者：
ラム リサーチ コーポレーション

ラム リサーチ コーポレーション について


代理人 (1件)： 特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-172502
公開番号（公開出願番号）：特開2014-222786
出願日： 2014年08月27日
公開日（公表日）： 2014年11月27日
要約：
【課題】プラズマ反応チャンバ内において支持された半導体基板を囲むように構成された温度制御式ホットエッジリング組立体を提供する。【解決手段】環状支持面を有する基板支持部は、基板支持面を囲む。高周波(RF)結合リングは、環状支持面の上に位置する。下部ガスケットは、環状支持面とRF結合リングとの間に位置する。下部ガスケットは、熱伝導性および電気伝導性を有する。ホットエッジリングは、RF結合リングの上に位置する。基板支持部は、基板の外縁部がホットエッジリングの上に張り出す状態で基板を支持するように構成される。上部熱伝導媒体は、ホットエッジリングとRF結合リングとの間に位置する。ホットエッジリング、RF結合リング、および環状支持面は、機械的にクランプすることができる。加熱要素は、RF結合リング内に埋め込むことができる。【選択図】図1A
請求項（抜粋）：
プラズマ反応チャンバ内において支持された半導体基板を囲むように構成された温度制御式ホットエッジリング組立体であって、 基板支持面を囲む環状支持面を有する基板支持部と、 前記環状支持面の上に位置する高周波(RF)結合リングと、 前記環状支持面と前記RF結合リングとの間に位置し、熱伝導性および電気伝導性を有する下部ガスケットと、 前記RF結合リングの上に位置するホットエッジリングであり、前記基板支持部は、基板を、前記基板の外縁部が前記ホットエッジリングの上に張り出す状態で支持するように構成される、ホットエッジリングと、 前記ホットエッジリングと前記RF結合リングとの間に位置する上部熱伝導媒体と を備える組立体。
IPC (5件)：
H01L 21/306 ,  H05H 1/46 ,  C23C 16/509 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/265
FI (5件)：
H01L21/302 101G ,  H05H1/46 M ,  C23C16/509 ,  C23C16/46 ,  H01L21/265 F
Fターム (38件)：
4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA04 ,  4K030FA03 ,  4K030GA02 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA16 ,  4K030JA18 ,  4K030KA23 ,  4K030KA26 ,  4K030KA28 ,  4K030KA30 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41 ,  4K030KA45 ,  4K030KA46 ,  4K030LA01 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F004AA01 ,  5F004BA04 ,  5F004BA06 ,  5F004BA07 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BB23 ,  5F004BB26 ,  5F004BB28 ,  5F004BB29 ,  5F004CA04 ,  5F004CB12 ,  5F004DA00 ,  5F004DA21 ,  5F004DA22 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01
引用特許：
出願人引用 (11件)
全件表示
審査官引用 (11件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM