特許
J-GLOBAL ID：201403073411352938
べベル端部エッチングプラズマチャンバにおける端部除外制御のためのガス調整
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-242935
公開番号（公開出願番号）：特開2014-060440
出願日： 2013年11月25日
公開日（公表日）： 2014年04月03日
要約：
【課題】基板のべベル端部(面取りされた端部)近傍の不要な被膜を除去して、プロセス歩留まりを改善する装置及び方法を提供する。【解決手段】装置及び方法は、中央ガス供給部275C及び端部ガス供給部275Eを備えることにより、端部除外領域を基板端面方向に狭めるための最適なべベル端部エッチングプロセスを選択することが可能になる。さらに実施形態に従う装置及び方法は、調整ガスを用いてべベル端部におけるエッチングプロファイルを変化させるものであり、中央ガス供給部と端部ガス供給部との組み合わせによりチャンバ内にプロセスガスと調整ガスを導入する。調整ガスの使用とガス供給部の配置は、いずれも、べベル端部におけるエッチング特性に影響を与える。また、ガスの総流量、ガス供給プレートと基板表面との間隔距離、圧力及びプロセスガスの種類も、べベル端部のエッチングプロファイルに影響を与える。【選択図】図2F
請求項（抜粋）：
基板のべベル端部上の薄膜をエッチングするように構成されるプラズマエッチング処理チャンバであって、
前記プラズマ処理チャンバ内で基板保持部を囲むように配置される下端部電極であって、前記基板保持部は前記基板を収容するように構成され、前記下端部電極と前記基板保持部とが下部誘電体リングにより互いに電気的に絶縁されるように構成される下端部電極と、
前記基板保持部に対向するガス供給プレートを囲むように配置される上端部電極であって、前記上端部電極と前記ガス供給プレートとが上部誘電体リングにより互いに電気的に絶縁され、前記上端部電極と前記下端部電極とは前記基板の前記べベル端部上の薄膜を除去するためのエッチングプラズマを前記べベル端部近傍で生成させ、前記処理プラズマを閉じ込める前記上端部電極と前記下端部電極との間の距離が約1.5cm未満であるように構成される上端部電極と、
前記ガス供給プレートに埋め込まれた中央ガス供給部であって、前記中央ガス供給部を介して前記プラズマ処理チャンバにエッチングプロセスガス又は調整ガスのいずれかを供給するように構成される中央ガス供給部と、
中央ガスマニフォールドに連結される中央ガス選択制御部であって、前記中央ガスマニフォールドは複数のエッチングプロセスガス及び調整ガスに接続されるように構成され、前記中央ガス供給部に連結されて、前記プラズマ処理チャンバに供給するべきガスとしてエッチングプロセスガス又は調整ガスを選択するように構成される中央ガス選択制御部と、
前記エッチングプロセスガス又は前記調整ガスのいずれかを前記基板のべベル端部に向けて供給するように構成される端部ガス供給部であって、前記基板より上方に配置される端部ガス供給部と、
端部ガスマニフォールドに連結される端部ガス選択制御部であって、前記端部ガスマニフォールドは前記複数のエッチングプロセスガス及び調整ガスに接続されるように構成され、前記端部ガス供給部に連結されて、前記端部ガス供給部を介して前記プラズマ処理チャンバに供給するべきガスとしてエッチングプロセスガス又は調整ガスを選択するように構成される端部ガス選択制御部と、
を備える、プラズマエッチング処理チャンバ。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/302 106
, H01L21/302 101B
5F004AA09
, 5F004AA14
, 5F004BA04
, 5F004BA06
, 5F004BA07
, 5F004BB23
, 5F004BB28
, 5F004CA02
, 5F004DA00
, 5F004DA17
, 5F004DA22
, 5F004DA23
, 5F004DA25
, 5F004DB03
, 5F004DB07
, 5F004DB08
, 5F004DB09
, 5F004DB26
