特許

J-GLOBAL ID：202003005452794808

薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法

発明者： 佐藤 宏樹 ,  東野 貴志
出願人/特許権者： 株式会社ADEKA
代理人 (4件)： 曾我 道治 ,  梶並 順 ,  大宅 一宏 ,  佐藤 さおり
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-208019
公開番号（公開出願番号）：特開2020-076114
出願日： 2018年11月05日
公開日（公表日）： 2020年05月21日
要約：

【課題】ホウ素原子を含有する薄膜を製造する場合に、生産性良く、高品質な薄膜を製造することが可能で、自然発火性を有さない薄膜形成用原料を提供することを目的とする。【解決手段】上記目的を達成するため、明細書に記載の一般式(1)及び(2)で表される化合物からなる群より選択される少なくとも1種の化合物を含有する薄膜形成用原料及び該薄膜形成用原料を用いてホウ素原子を含有する薄膜を形成する薄膜の製造方法を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)及び(2)で表される化合物からなる群より選択される少なくとも1種の化合物を含有する薄膜形成用原料。

IPC (2件)：

C23C 16/38 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

C23C16/38 ,  H01L21/316 X ,  H01L21/316 G

Fターム (32件)：

4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030AA24 ,  4K030BA26 ,  4K030BA42 ,  4K030BA49 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA01 ,  4K030EA03 ,  4K030EA11 ,  4K030FA01 ,  4K030GA02 ,  4K030HA01 ,  4K030JA01 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA15 ,  5F058BC03 ,  5F058BC09 ,  5F058BD05 ,  5F058BD12 ,  5F058BF03 ,  5F058BF04 ,  5F058BF05 ,  5F058BF07 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF46 ,  5F058BH02 ,  5F058BH03

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-110242   出願人：株式会社日立国際電気
• ホウ素含有化合物、組成物、及びホウ素含有膜の堆積方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2017-551188   出願人：バーサムマテリアルズユーエス,リミティドライアビリティカンパニー
• 低誘電率材料の製造方法および低誘電率材料、並びにこの低誘電率材料を用いた絶縁膜および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-311405   出願人：三菱電機株式会社

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-110242   出願人：株式会社日立国際電気