特許
J-GLOBAL ID：202003005832665539

負イオン生成装置

発明者：
北見 尚久

北見 尚久 について

, 
野本 淳一

野本 淳一 について

, 
酒見 俊之

酒見 俊之 について

, 
山本 哲也

山本 哲也 について


出願人/特許権者：
住友重機械工業株式会社

住友重機械工業株式会社 について

, 
高知県公立大学法人

高知県公立大学法人 について


代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  柳 康樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-086540
公開番号（公開出願番号）：特開2020-145205
出願日： 2020年05月18日
公開日（公表日）： 2020年09月10日
要約：
【課題】対象物に照射する負イオンを適切な状態で生成することができる負イオン生成装置を提供する。【解決手段】対象物に負イオンを照射するための負イオン生成装置は、真空チャンバー10内にプラズマを供給するプラズマ源7を有し、真空チャンバー10内におけるプラズマの生成状態を調整する手段を有する。真空チャンバー10内におけるプラズマの生成状態を調整する手段は、制御部50により真空チャンバー10内へのプラズマの供給を間欠的に行うよう制御する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
非単結晶基板上に成膜を行う成膜システムであって、 イオンプレーティング法により成膜を行う第1の成膜装置と、 前記第1の成膜装置よりも下流側で成膜を行う第2の成膜装置と、を備え、 前記第1の成膜装置は、前記非単結晶基板上に第1の半導体材料を含む第1の半導体膜を成膜し、 前記第2の成膜装置は、前記非単結晶基板上の前記第1の半導体膜上に、第2の半導体材料を含む第2の半導体膜を成膜する、成膜システム。
IPC (2件)：
H01J 27/08 ,  H01J 37/08
FI (2件)：
H01J27/08 ,  H01J37/08
Fターム (26件)：
2G084AA04 ,  2G084AA12 ,  2G084BB11 ,  2G084CC02 ,  2G084CC23 ,  2G084CC33 ,  2G084DD39 ,  2G084EE24 ,  2G084FF02 ,  2G084FF27 ,  2G084FF28 ,  2G084FF29 ,  4K029AA09 ,  4K029AA11 ,  4K029AA24 ,  4K029BA49 ,  4K029BB07 ,  4K029BD01 ,  4K029CA03 ,  4K029DA06 ,  4K029DD05 ,  4K029DE02 ,  4K029GA02 ,  4K029KA02 ,  5C030DE09 ,  5C030DG01
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM