特許
J-GLOBAL ID：202003007511843608
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-191657
公開番号（公開出願番号）：特開2020-061455
出願日： 2018年10月10日
公開日（公表日）： 2020年04月16日
要約：
【課題】シャント抵抗で生じる熱の放熱性を高めることが可能な技術を提供することを目的とする。【解決手段】半導体装置は、開口した空間を有する容器体1と、容器体1内の空間内に配設された半導体チップ2、シャント抵抗4、及び、回路パターン5と、仕切部材11と、第1蓋部16aと、第2蓋部16bとを備える。仕切部材11は、容器体1の空間を、第1空間1eと第2空間1fとに分離する。第1蓋部16aは、開口のうち第1空間1eに対応する部分を覆い、第2蓋部16bは、開口のうち第2空間1fに対応する部分を覆う。第2蓋部16bは、第2空間1fと容器体1外部とを連通する少なくとも1つの穴18を形成する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
開口した空間を有する容器体と、
前記容器体内の空間内に配設された半導体チップと、
前記空間内に配設され、前記半導体チップと離間されたシャント抵抗と、
前記空間内に配設され、前記半導体チップと前記シャント抵抗とを接続する回路パターンと、
前記容器体の前記空間を、前記半導体チップ側の第1空間と、前記シャント抵抗側の第2空間とに分離する仕切部材と、
前記第1空間内に配設され、前記半導体チップを封止する第1封止材と、
前記開口のうち前記第1空間に対応する部分を覆う第1蓋部、及び、前記開口のうち前記第2空間に対応する部分を覆う第2蓋部と
を備え、
前記第2蓋部は、前記第2空間と前記容器体外部とを連通する少なくとも1つの穴を形成する、半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/02
, H01L 23/28
, H01L 25/00
H01L23/02 J
, H01L23/28 K
, H01L23/02 G
, H01L25/00 B
4M109AA01
, 4M109BA04
, 4M109CA02
, 4M109DA06
, 4M109DB10
, 4M109EA02
, 4M109EA10
, 4M109EE03
, 4M109GA05
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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