特許
J-GLOBAL ID:202003008112220350

熱電変換材料および熱電変換モジュール

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人筒井国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2019-074706
公開番号(公開出願番号):特開2020-174109
出願日: 2019年04月10日
公開日(公表日): 2020年10月22日
要約:
【課題】熱電変換材料および熱電変換モジュールの性能を向上する。【解決手段】熱電変換材料101は、4〜9族の第1元素および13〜15族の第2元素により構成されるチムニーラダー型化合物を含む母相102と、母相102の粒界に存在する添加相103とを有し、母相102は、前記チムニーラダー型化合物の格子定数を変化させる第3元素を含み、添加相103は、前記第2元素を含む。【選択図】図3
請求項(抜粋):
4〜9族の第1元素および13〜15族の第2元素により構成されるチムニーラダー型化合物を含む母相と、前記母相の粒界に存在する添加相とを有し、 前記母相は、前記チムニーラダー型化合物の格子定数を変化させる第3元素を含み、 前記添加相は、前記第2元素を含む、熱電変換材料。
IPC (3件):
H01L 35/14 ,  C22C 22/00 ,  C22C 30/00
FI (3件):
H01L35/14 ,  C22C22/00 ,  C22C30/00
Fターム (6件):
4K018AA40 ,  4K018BC16 ,  4K018DA11 ,  4K018EA25 ,  4K018KA32 ,  4K018KA62
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)
引用文献:
出願人引用 (1件)
  • Tuning valence electron concentration in the Mo13Ge23-Ru2Ge3 pseudobinary system for enhancement of
審査官引用 (2件)
  • Tuning valence electron concentration in the Mo13Ge23-Ru2Ge3 pseudobinary system for enhancement of
  • Tuning valence electron concentration in the Mo13Ge23-Ru2Ge3 pseudobinary system for enhancement of

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