特許
J-GLOBAL ID：202003008402658961

窒化物半導体の製造方法、窒化物半導体、及び発光素子

発明者：
上杉 謙次郎

上杉 謙次郎 について

, 
三宅 秀人

三宅 秀人 について


出願人/特許権者：
国立大学法人三重大学

国立大学法人三重大学 について


代理人 (1件)： 新居 広守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-192188
公開番号（公開出願番号）：特開2020-061473
出願日： 2018年10月10日
公開日（公表日）： 2020年04月16日
要約：
【課題】転位密度を抑制した、表面平坦性の高い、優れた結晶性をもつ窒化物半導体の製造方法、窒化物半導体、及び、発光特性の高い発光素子を提供する。【解決手段】窒化物半導体の製造方法であって、基板2を準備する準備ステップと、基板2上にAlNテンプレート層3を形成するテンプレート形成ステップと、1150°C以上の温度でのエピタキシャル成長により、AlNテンプレート層3の上方に、AlGaN層を成膜するAlGaN成膜ステップとを含む。【選択図】図11
請求項（抜粋）：
基板を準備する準備ステップと、 前記基板上にAlNテンプレート層を形成するテンプレート形成ステップと、 1150°C以上の温度でのエピタキシャル成長により、前記AlNテンプレート層の上方に、AlGaN層を成膜するAlGaN成膜ステップとを含む 窒化物半導体の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/32 ,  C30B 29/38 ,  C30B 25/18 ,  C23C 16/34 ,  C23C 14/06
FI (6件)：
H01L21/205 ,  H01L33/32 ,  C30B29/38 D ,  C30B25/18 ,  C23C16/34 ,  C23C14/06 A
Fターム (83件)：
4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077DB08 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  4G077TB05 ,  4G077TK08 ,  4K029AA07 ,  4K029AA24 ,  4K029BA58 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029CA13 ,  4K029DA08 ,  4K029DC34 ,  4K029DC35 ,  4K029DC40 ,  4K029EA01 ,  4K029EA03 ,  4K029EA04 ,  4K029EA08 ,  4K029EA09 ,  4K029GA01 ,  4K029JA03 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030FA10 ,  4K030HA04 ,  4K030JA01 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA12 ,  5F045AA04 ,  5F045AA19 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AD17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE25 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CB02 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DA67 ,  5F045DP03 ,  5F045DP04 ,  5F045DP05 ,  5F045EK06 ,  5F045HA16 ,  5F241AA03 ,  5F241AA40 ,  5F241CA04 ,  5F241CA05 ,  5F241CA40 ,  5F241CA65 ,  5F241CA73 ,  5F241CB03 ,  5F241FF11 ,  5F241FF15
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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