特許
J-GLOBAL ID：202003008599722143
熱処理方法および熱処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-119852
公開番号（公開出願番号）：特開2020-004764
出願日： 2018年06月25日
公開日（公表日）： 2020年01月09日
要約：
【課題】基板の昇温時間にかかわらず適切に温度プロファイルを作成することができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。【解決手段】半導体ウェハーは、ハロゲンランプによって予備加熱された後にフラッシュランプからのフラッシュ光照射によって加熱される。フラッシュランプから照射されるフラッシュ光の発光波形の長さは適宜に調整可能とされている。半導体ウェハーの表面温度を測定する放射温度計のデータ収集周期(サンプリング間隔)は可変とされ、フラッシュ光の発光波形の長さが長くなるほどデータ収集周期も長くする。フラッシュ光の発光波形の長さに起因して半導体ウェハーの表面温度の昇降時間が変化しても、当該表面温度が昇温して最高到達温度を経て降温するまで温度変化を一定のデータ点数で温度プロファイルに含めることができる。【選択図】図12
請求項（抜粋）：
基板にフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法であって、
フラッシュランプから基板の表面にフラッシュ光を照射するフラッシュ光照射工程と、
予め設定されたデータ収集周期にて放射温度計によって前記基板の表面温度を測定する温度測定工程と、
前記温度測定工程にて取得された複数の温度データのうち、前記フラッシュ光の照射を開始する前後の一定数の温度データを抽出して温度プロファイルを作成するプロファイル作成工程と、
を備え、
前記データ収集周期は可変とされることを特徴とする熱処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/26
, H01L 21/265
, H01L 21/683
H01L21/26 T
, H01L21/265 602B
, H01L21/68 N
5F131AA02
, 5F131AA03
, 5F131AA32
, 5F131AA34
, 5F131BA24
, 5F131CA02
, 5F131CA06
, 5F131DA33
, 5F131DA42
, 5F131EA04
, 5F131EB55
, 5F131EB72
, 5F131EB81
, 5F131HA44
, 5F131KA23
