特許
J-GLOBAL ID:202003009040290177
半導体装置の製造方法
発明者:
,
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
長谷川 芳樹
, 清水 義憲
, 平野 裕之
, 中山 浩光
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-123654
公開番号(公開出願番号):特開2017-228645
特許番号:特許第6769132号
出願日: 2016年06月22日
公開日(公表日): 2017年12月28日
請求項(抜粋):
【請求項1】 樹脂組成物を有する仮固定シートを支持体に積層する工程と、
前記仮固定シートに半導体チップを仮固定する工程と、
前記仮固定シートに仮固定された前記半導体チップを覆う封止体を形成する工程と、
前記支持体と反対側に位置する前記半導体チップの表面が露出するように前記封止体を研削する工程と、
前記封止体から露出した前記半導体チップの前記表面に配線を形成する工程と、
前記仮固定シートから前記支持体を剥離する工程と、を含み、
前記支持体を剥離する工程において、前記支持体を通して前記仮固定シートに放射エネルギーを照射することにより、前記樹脂組成物を分解して前記支持体を剥離する、半導体装置の製造方法。
IPC (6件):
H01L 21/56 ( 200 6.01)
, B23K 26/18 ( 200 6.01)
, B23K 26/57 ( 201 4.01)
, C09J 201/00 ( 200 6.01)
, C09J 11/02 ( 200 6.01)
, H01L 23/12 ( 200 6.01)
FI (6件):
H01L 21/56 R
, B23K 26/18
, B23K 26/57
, C09J 201/00
, C09J 11/02
, H01L 23/12 501 P
引用特許:
前のページに戻る