特許
J-GLOBAL ID：201403009533300394
半導体装置の製造方法及びそれに用いる熱硬化性樹脂組成物並びにそれらにより得られる半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-200423
公開番号（公開出願番号）：特開2014-056924
出願日： 2012年09月12日
公開日（公表日）： 2014年03月27日
要約：
【課題】 薄型で反りが小さく放熱性に優れた半導体装置を低コストで効率よく製造、それに用いる熱硬化性樹脂組成物を提供する。【解決手段】 (I)支持体上に仮固定層を形成後、電極突起を有する半導体素子を、半導体素子の受動面(裏面)と仮固定層が貼り合わさるよう配置、(II)半導体素子の能動面(表面)を熱硬化性樹脂組成物で封止し、第一の絶縁層を形成、(III)支持体と仮固定層をはく離し、受動面(裏面)を露出、(IV)能動面(表面)上の第一の絶縁層を研削し、電極突起の一部を露出、(V)第一の絶縁層上にシード層を形成、(VI)シード層上にレジスト形成、露光、現像を施してパターンを形成、(VII)めっき法で配線パターンを形成し、レジストパターンを除去、(VIII)シード層を除去、(IX)配線パターン上に第二の絶縁層を形成し、開口を形成、(X)外部接続用端子を形成する工程を、備える。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
(I)支持体上に仮固定層を形成後、電極突起を有する少なくとも1つ以上の半導体素子を、半導体素子の受動面(裏面、電極突起が形成された面の反対面)と仮固定層が貼り合わさるように配置する工程と、
(II)前記少なくとも1つ以上の半導体素子の能動面(表面、電極突起が形成された面)を覆うように、熱硬化性樹脂組成物で封止し、第一の絶縁層を形成する工程と、
(III)支持体と仮固定層をはく離し、半導体素子の受動面(裏面)を露出させる工程と、
(IV)半導体素子の能動面(表面)上の熱硬化性樹脂組成物からなる第一の絶縁層を研削し、前記電極突起の一部を露出する工程と、
(V)熱硬化性樹脂組成物からなる第一の絶縁層上にシード層を形成する工程と、
(VI)シード層上に回路形成用レジストを形成し、露光処理及び現像処理を施して再配線用のレジストパターンを形成する工程と、
(VII)めっき法により配線パターンを形成し、はく離処理によりレジストパターンを除去する工程と、
(VIII)シード層を除去する工程と、
(IX)配線パターン上に第二の絶縁層を形成し、配線パターンにまで至る開口を形成する工程と、
(X)外部接続用端子を形成する工程を、備える半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L23/12 501P
, H01L21/56 R
5F061AA01
, 5F061CA10
, 5F061CA21
, 5F061CA22
, 5F061CB13
, 5F061DB01
