特許
J-GLOBAL ID:202003010042474532

表面孔を有するシリコン微粒子の製造方法、及びシリコン微粒子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 前田 伸哉
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-192870
公開番号(公開出願番号):特開2020-059632
出願日: 2018年10月11日
公開日(公表日): 2020年04月16日
要約:
【課題】簡易な操作と安価な材料を用いて、シリコン微粒子の表面に微細な孔を形成する手段を提供すること。【解決手段】フッ化水素酸及び遷移金属イオンを含む溶液にシリコン微粒子を浸漬することで、そのシリコン微粒子の表面に遷移金属粒子を析出させるとともに、当該析出に伴って、析出した遷移金属粒子との接触部が酸化されたシリコン微粒子の表面をフッ化水素酸でエッチングする第一エッチング工程と、第一エッチング工程を経たシリコン微粒子から、遷移金属粒子を除去する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
フッ化水素酸及び遷移金属イオンを含む溶液にシリコン微粒子を浸漬することで、前記シリコン微粒子の表面に遷移金属粒子を析出させるとともに、当該析出に伴って、前記遷移金属粒子との接触部が酸化された前記シリコン微粒子の表面をフッ化水素酸でエッチングする第一エッチング工程と、 前記第一エッチング工程を経たシリコン微粒子から、前記遷移金属粒子を除去する除去工程と、を備えた、表面孔を有するシリコン微粒子の製造方法。
IPC (1件):
C01B 33/02
FI (1件):
C01B33/02 Z
Fターム (24件):
4G072AA01 ,  4G072AA02 ,  4G072BB05 ,  4G072BB20 ,  4G072DD05 ,  4G072DD06 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072JJ07 ,  4G072JJ18 ,  4G072JJ30 ,  4G072KK01 ,  4G072LL06 ,  4G072LL11 ,  4G072MM11 ,  4G072MM24 ,  4G072QQ06 ,  4G072RR01 ,  4G072RR12 ,  4G072TT01 ,  4G072TT30 ,  4G072UU02 ,  4G072UU30
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

前のページに戻る