特許
J-GLOBAL ID：202003002917295553

微細突起を有するシリコン微粒子の製造方法、及びシリコン微粒子

発明者：
佐藤 慶介

佐藤 慶介 について

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小林 雅典

小林 雅典 について

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中山 文豪

中山 文豪 について


出願人/特許権者：
学校法人東京電機大学

学校法人東京電機大学 について


代理人 (1件)： 前田 伸哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-192860
公開番号（公開出願番号）：特開2020-059631
出願日： 2018年10月11日
公開日（公表日）： 2020年04月16日
要約：
【課題】簡易な操作と安価な材料を用いて、シリコン微粒子の表面に微細な突起を形成する手段を提供すること。【解決手段】リン若しくはそれを含む化合物、又はホウ素若しくはそれを含む化合物をシリコン微粒子に接触させてから熱処理を行うことでシリコン微粒子にリン又はホウ素をドープした後、リンをドープした場合には、フッ化水素酸及び遷移金属イオンを含む溶液にシリコン微粒子を浸漬することで、そのシリコン微粒子の表面に遷移金属粒子を析出させるとともに、当該析出に伴って、遷移金属粒子との接触部が酸化されたシリコン微粒子の表面をフッ化水素酸でエッチングする第一エッチング工程を行った後、上記遷移金属粒子を除去することにより、また、ホウ素をドープした場合には、リンをドープした場合と同様に第一エッチング工程を行った後、さらにフッ化水素酸及び酸化剤を用いて第二エッチング工程を行う。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
リン若しくはそれを含む化合物、又はホウ素若しくはそれを含む化合物をシリコン微粒子に接触させ、さらに熱処理を行うことにより、前記シリコン微粒子にリン又はホウ素をドープするドーピング工程と、 フッ化水素酸及び遷移金属イオンを含む溶液に、前記ドーピング工程を経たシリコン微粒子を浸漬することで、前記シリコン微粒子の表面に遷移金属粒子を析出させるとともに、当該析出に伴って、前記遷移金属粒子との接触部が酸化された前記シリコン微粒子の表面をフッ化水素酸でエッチングする第一エッチング工程と、 前記第一エッチング工程を経たシリコン微粒子から、前記遷移金属粒子を除去する除去工程と、を備え、 前記ドーピング工程によりホウ素がドープされた場合には、前記第一エッチング工程を経たシリコン微粒子をフッ化水素酸及び酸化剤を含む溶液に浸漬させる第二エッチング工程をさらに含む、表面突起を有するシリコン微粒子の製造方法。
IPC (1件)：
C01B 33/02
FI (1件)：
C01B33/02 Z
Fターム (24件)：
4G072AA01 ,  4G072AA02 ,  4G072BB05 ,  4G072BB20 ,  4G072DD05 ,  4G072DD06 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072JJ07 ,  4G072JJ18 ,  4G072JJ30 ,  4G072KK01 ,  4G072LL06 ,  4G072LL11 ,  4G072MM11 ,  4G072MM24 ,  4G072QQ06 ,  4G072RR01 ,  4G072RR12 ,  4G072TT01 ,  4G072TT30 ,  4G072UU02 ,  4G072UU30
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (5件)
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