特許
J-GLOBAL ID：202003010408291592

半導体装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
松田 慎平

松田 慎平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-061665
公開番号（公開出願番号）：特開2016-184731
特許番号：特許第6717628号
出願日： 2016年03月25日
公開日（公表日）： 2016年10月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1の絶縁層と、 前記第1の絶縁層上の第1の酸化物半導体と、 前記第1の酸化物半導体上の第1の酸化物絶縁体と、 前記第1の酸化物絶縁体上の第2の酸化物半導体と、 前記第2の酸化物半導体上のソース電極層およびドレイン電極層と、 前記第2の酸化物半導体上、前記ソース電極層上、および前記ドレイン電極層上の第2の酸化物絶縁体と、 前記第2の酸化物絶縁体上のゲート絶縁層と、 前記ゲート絶縁層上のゲート電極層と、を有し、 前記第1の酸化物半導体、前記第1の酸化物絶縁体、前記第2の酸化物半導体、および前記第2の酸化物絶縁体の各々は、インジウム、元素M(Mは、ガリウム、アルミニウム、チタン、イットリウム、またはスズ)、および亜鉛を含み、 前記第1の酸化物半導体は、c軸配向した結晶を有し、 前記第1の酸化物半導体が有するインジウムの原子数をインジウム、元素M、および亜鉛の原子数の合計で除した数は、1/3以上であり、 前記第1の酸化物絶縁体が有する亜鉛の原子数をインジウム、元素M、および亜鉛の原子数の合計で除した数は、1/3以下であり、 前記第2の酸化物半導体は、c軸配向した結晶を有し、 前記第2の酸化物半導体が有するインジウムの原子数をインジウム、元素M、および亜鉛の原子数の合計で除した数は、1/3以上であり、 前記第1の酸化物絶縁体が有するインジウムの原子数をインジウム、元素M、および亜鉛の原子数の合計で除した数は、前記第1の酸化物半導体が有するインジウムの原子数をインジウム、元素M、および亜鉛の原子数の合計で除した数に比して小さく、かつ前記第2の酸化物半導体が有するインジウムの原子数をインジウム、元素M、および亜鉛の原子数の合計で除した数に比して小さい、半導体装置。
IPC (9件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8234 ( 200 6.01) ,  H01L 27/088 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8238 ( 200 6.01) ,  H01L 27/092 ( 200 6.01) ,  H01L 27/146 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8242 ( 200 6.01) ,  H01L 27/108 ( 200 6.01)
FI (12件)：
H01L 29/78 618 E ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 620 ,  H01L 29/78 618 A ,  H01L 27/088 E ,  H01L 27/092 G ,  H01L 27/146 A ,  H01L 27/146 E ,  H01L 27/108 321 ,  H01L 27/108 621 Z ,  H01L 27/108 671 C ,  H01L 27/108 671 Z
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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