半導体装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-025474
公開番号（公開出願番号）：特開2014-179597
出願日： 2014年02月13日
公開日（公表日）： 2014年09月25日
要約：

【課題】パワーデバイスに適した酸化物半導体を用いた半導体装置を提供すること。または、大きな電流を流すことのできる半導体装置を提供すること。または、信頼性の高い半導体装置を提供すること。【解決手段】第1の酸化物層、第1の酸化物半導体層、第2の酸化物半導体層、及び第2の酸化物層が積層された酸化物積層を有し、第1の酸化物半導体層中に導電性を付与する元素を含む領域が、ソース電極として機能する電極と重畳し、且つドレイン電極として機能する電極と重畳しないように設けられた、半導体装置の構成とすればよい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁表面上に第1の酸化物層、第1の酸化物半導体層、第2の酸化物半導体層、及び第2の酸化物層が順に積層した積層構造を含む酸化物積層と、前記第2の酸化物層の一部と接し、前記第1の酸化物半導体層上で離間する第1の電極及び第2の電極と、前記第2の酸化物層上にゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に前記酸化物積層と重なるゲート電極と、を有し、前記第1の酸化物半導体層は、第1の領域と第2の領域と、を備え、前記第2の領域は、側部及び底部が前記第1の領域に囲まれ、上部が前記第2の酸化物半導体層と接して設けられ、且つ、前記第1の電極と重畳し、且つ前記第2の電極と重畳しないように設けられ、且つ、酸化物半導体に対して導電性を付与する元素の濃度が、前記第1の領域よりも高い、半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 29/786

FI (3件)：

H01L29/78 618F , H01L29/78 618B , H01L29/78 618E

Fターム (79件)：

5F110AA07 , 5F110BB12 , 5F110CC01 , 5F110CC10 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD25 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE44 , 5F110EE48 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG07 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG16 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG22 , 5F110GG24 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG32 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG36 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG51 , 5F110GG52 , 5F110GG55 , 5F110GG58 , 5F110HJ30 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK17 , 5F110HK42 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL27 , 5F110HM12 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN40 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110PP36 , 5F110QQ09 , 5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (4件)

薄膜トランジスタの製造方法、並びに、薄膜トランジスタ、イメージセンサー、X線センサー及びX線デジタル撮影装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-114674 出願人：富士フイルム株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-079327 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-019471 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

全件表示

前のページに戻る