特許

J-GLOBAL ID：202003012558247101

III族窒化物結晶の製造方法

発明者： 森 勇介 ,  吉村 政志 ,  今西 正幸 ,  北本 啓 ,  滝野 淳一 ,  隅 智亮
出願人/特許権者： 国立大学法人大阪大学 ,  パナソニック株式会社
代理人 (3件)： 松谷 道子 ,  岡部 博史 ,  稲葉 和久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-018035
公開番号（公開出願番号）：特開2020-125221
出願日： 2019年02月04日
公開日（公表日）： 2020年08月20日
要約：

【課題】多結晶化を抑制し、III族窒化物結晶の品質を向上させるIII族窒化物結晶の製造方法を提供する。【解決手段】III族窒化物結晶の製造方法は、種基板を準備する工程と、過飽和比(P0/Pe)が1より大きく5以下となるように、III族元素酸化物ガスと窒素元素含有ガスとを供給して、種基板にIII族窒化物結晶を成長させる工程と、を含み、P0は、III族酸化物ガスの供給分圧であり、Peは、III族酸化物ガスの平衡分圧である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

種基板を準備する工程と、 過飽和比(P0/Pe)が1より大きく5以下となるように、III族元素酸化物ガスと窒素元素含有ガスとを供給して、前記種基板にIII族窒化物結晶を成長させる工程と、 を含み、 前記P0は、前記III族元素酸化物ガスの供給分圧であり、前記Peは、前記III族元素酸化物ガスの平衡分圧である、III族窒化物結晶の製造方法。

IPC (5件)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/02 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/205

FI (5件)：

C30B29/38 D ,  C30B25/02 Z ,  C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  H01L21/205

Fターム (47件)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077EA02 ,  4G077EC09 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TC01 ,  4G077TC06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA10 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030AA24 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030EA01 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14 ,  5F045AA06 ,  5F045AB14 ,  5F045AC00 ,  5F045AC12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AE23 ,  5F045AF04 ,  5F045BB12 ,  5F045CA06 ,  5F045DA53 ,  5F045DA67 ,  5F045DP03 ,  5F045EE02

引用特許：

出願人引用 (2件)

• III族窒化物結晶の製造方法および製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2015-130217   出願人：パナソニックIPマネジメント株式会社
• III族窒化物結晶の製造方法、半導体装置およびIII族窒化物結晶製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2016-196509   出願人：国立大学法人大阪大学, 伊藤忠プラスチックス株式会社

審査官引用 (2件)

• III族窒化物結晶の製造方法および製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2015-130217   出願人：パナソニックIPマネジメント株式会社
• III族窒化物結晶の製造方法、半導体装置およびIII族窒化物結晶製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2016-196509   出願人：国立大学法人大阪大学, 伊藤忠プラスチックス株式会社

引用文献：

出願人引用 (1件)

• Japanese Journal of Applied Physics, 20190522, Vol.58, SC1043 1-6