特許
J-GLOBAL ID：202003014058643038
窒化物半導体基板の製造方法、窒化物半導体基板及び光半導体デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
新居 広守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-037838
公開番号（公開出願番号）：特開2020-139222
出願日： 2019年03月01日
公開日（公表日）： 2020年09月03日
要約：
【課題】劈開面を利用でき、かつ、結晶性の高い窒化物半導体基板の製造方法、窒化物半導体基板及び光半導体デバイスを提供する。【解決手段】スパッタ装置100内にa面サファイア基板11を準備する第1工程(S21)と、スパッタ装置100内に成膜材料であるAlを含むターゲット107を準備する第2工程(S22)と、400°C以上1000°C以下の温度で保ちながらターゲット107をスパッタリングすることにより、AlN層12をa面サファイア基板11のa面上に成膜する第3工程(S23)とを有する窒化物半導体基板10の製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
スパッタ装置内にa面サファイア基板を準備する第1工程と、
前記スパッタ装置内に成膜材料であるAlを含むターゲットを準備する第2工程と、
400°C以上1000°C以下の温度で保ちながら前記ターゲットをスパッタリングすることにより、AlN層を前記a面サファイア基板のa面上に成膜する第3工程とを有する
窒化物半導体基板の製造方法。
IPC (7件)：
C23C 14/06
, C30B 23/08
, C30B 29/38
, C30B 33/02
, C23C 14/58
, G02F 1/355
, G02F 1/377
C23C14/06 A
, C30B23/08 P
, C30B29/38 C
, C30B33/02
, C23C14/58 A
, G02F1/355
, G02F1/377
2K102AA08
, 2K102AA32
, 2K102BA18
, 2K102BB02
, 2K102BC01
, 2K102CA28
, 2K102DA05
, 2K102DA10
, 2K102DA20
, 2K102DD03
, 4G077AA03
, 4G077AB02
, 4G077BE13
, 4G077DA11
, 4G077DA14
, 4G077EA02
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077EH01
, 4G077FE11
, 4G077FE19
, 4G077HA12
, 4G077SA04
, 4G077SA07
, 4G077SB01
, 4G077SB03
, 4K029AA07
, 4K029AA24
, 4K029BA58
, 4K029BB09
, 4K029BD01
, 4K029CA06
, 4K029DC05
, 4K029DC09
, 4K029DC35
, 4K029DC40
, 4K029EA01
, 4K029EA08
, 4K029GA01
