特許
J-GLOBAL ID:202003014135292294
ウエーハの加工方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人酒井国際特許事務所
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-220645
公開番号(公開出願番号):特開2018-078235
特許番号:特許第6740091号
出願日: 2016年11月11日
公開日(公表日): 2018年05月17日
請求項(抜粋):
【請求項1】 基板の表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、
該複数のデバイスを覆い、該基板の該ストリート領域を露出するようにパターニングされたマスクを形成するマスク形成工程と、
該パターニングされた該マスクを介して該ウエーハ表面側からプラズマ照射し、デバイスの仕上がり厚さに対応する深さの溝を形成する溝形成工程と、
該溝形成工程後に該溝の側壁にゲッタリング用の膜を形成する側壁ゲッタリング層形成工程と、
該側壁ゲッタリング層形成工程後に、該ウエーハの表面側に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
該保護部材が貼着された該ウエーハの表面側を保持して、該ウエーハの裏面を研削して該ウエーハを薄化し複数のデバイスに個片化する個片化工程と、
該個片化した該複数のデバイスの裏面にゲッタリング層を形成する裏面ゲッタリング層形成工程と、を有するウエーハの加工方法。
IPC (4件):
H01L 21/322 ( 200 6.01)
, H01L 21/301 ( 200 6.01)
, H01L 21/304 ( 200 6.01)
, B24B 1/00 ( 200 6.01)
FI (12件):
H01L 21/322 M
, H01L 21/78 Q
, H01L 21/78 S
, H01L 21/78 Z
, H01L 21/304 631
, H01L 21/304 621 B
, B24B 1/00 A
, H01L 21/322 C
, H01L 21/322 N
, H01L 21/322 Q
, H01L 21/322 P
, H01L 21/322 E
引用特許:
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