特許

J-GLOBAL ID：202003014172066962

上部シャワーヘッド及び下部シャワーヘッドを含む蒸着装置

発明者： 朴 柄善 ,  徐 枝延 ,  任 智芸 ,  林 ▲ひょん▼錫 ,  田 炳好 ,  姜 有善 ,  權 赫鎬 ,  朴 星津 ,  嚴 太鎔 ,  河 東協
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (3件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦 ,  大貫 進介
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-206457
公開番号（公開出願番号）：特開2019-090108
特許番号：特許第6698788号
出願日： 2018年11月01日
公開日（公表日）： 2019年06月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 プロセスチャンバー内に配置され、互いに向かい合う下部シャワーヘッド及び上部シャワーヘッドと、 前記下部シャワーヘッドと前記上部シャワーヘッドとの間に配置され、前記下部シャワーヘッドと連結されてウエハーを支持する支持構造物と、 前記支持構造物により支持される前記ウエハーと前記下部シャワーヘッドとの間のプラズマプロセス領域と、を含む蒸着装置であって、 前記下部シャワーヘッドは、前記ウエハーに向かう方向に下部ガスを噴出する下部孔を含み、 前記上部シャワーヘッドは、前記ウエハーに向かう方向に上部ガスを噴出する上部孔を含み、 前記支持構造物は、前記下部孔を介して噴出される前記下部ガスの一部を前記支持構造物と前記上部シャワーヘッドとの間に排出させる貫通開口部を含む、蒸着装置。

IPC (2件)：

C23C 16/455 ( 200 6.01) ,  H01L 21/31 ( 200 6.01)

FI (2件)：

C23C 16/455 ,  H01L 21/31 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• プラズマCVD装置及びそれを用いた成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-218351   出願人：日立電線株式会社
• 特開平2-054922
  
• 基板の表面処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-311877   出願人：積水化学工業株式会社