特許

J-GLOBAL ID：202003014781215761

荷電粒子ビーム強度分布可変装置、荷電粒子ビーム強度分布可変方法、二次粒子生成装置、及び放射性同位体生成装置

発明者： 福田 光宏 ,  百合 庸介
出願人/特許権者： 国立大学法人大阪大学 ,  国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構
代理人 (16件)： 小野 誠 ,  金山 賢教 ,  坪倉 道明 ,  重森 一輝 ,  安藤 健司 ,  市川 英彦 ,  青木 孝博 ,  櫻田 芳恵 ,  川嵜 洋祐 ,  五味渕 琢也 ,  今藤 敏和 ,  飯野 陽一 ,  市川 祐輔 ,  森山 正浩 ,  岩瀬 吉和 ,  城山 康文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-207270
公開番号（公開出願番号）：特開2020-071192
出願日： 2018年11月02日
公開日（公表日）： 2020年05月07日
要約：

【課題】中空状のビーム強度分布を有する荷電粒子ビームを形成することができる荷電粒子ビーム強度分布可変装置、荷電粒子ビーム強度分布可変方法、二次粒子生成装置、及び放射性同位体生成装置を提供すること。【解決手段】荷電粒子ビーム強度分布可変装置(1)は、イオンビーム源において生成される荷電粒子ビームを加速して出射する加速器(5)と、加速器から出射される荷電粒子ビームの進行経路上に少なくとも1つ以上設けられ、6極以上の磁極を有し非線形の磁束密度分布を有する磁場を形成する多重極電磁石(50)と、を具備し、多重極電磁石内に、荷電粒子ビームを通過させて、中空状のビーム強度分布を有する荷電粒子ビームを生成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

イオンビーム源において生成される荷電粒子ビームを加速して出射する加速器と、 前記加速器から出射される前記荷電粒子ビームの進行経路上に少なくとも1つ以上設けられ、6極以上の磁極を有し非線形の磁束密度分布を有する磁場を形成する多重極電磁石と、 を具備し、 前記多重極電磁石内に、前記荷電粒子ビームを通過させて、中空状のビーム強度分布を有する前記荷電粒子ビームを生成する、荷電粒子ビーム強度分布可変装置。

IPC (3件)：

G21K 1/093 ,  H05H 7/04 ,  G21K 5/04

FI (5件)：

G21K1/093 Z ,  H05H7/04 ,  G21K1/093 F ,  G21K1/093 D ,  G21K5/04 A

Fターム (2件)：

2G085BC06 ,  2G085DA10

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Transformation of the beam intensity distribution and formation of a uniform ion beam by means of no