特許
J-GLOBAL ID：202003014890823100

光検出素子およびライダー装置

発明者：
木村 俊介

木村 俊介 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 名古屋国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-139607
公開番号（公開出願番号）：特開2020-017630
出願日： 2018年07月25日
公開日（公表日）： 2020年01月30日
要約：
【課題】ライダー装置において測定精度を向上させる。【解決手段】APDアレイは、画素領域521とn領域512と信号取出電極516と画素周辺領域522とn領域513と不要キャリア排出用電極503とを備える。画素領域521は、基板501内に形成され、入射した光に応じて電子および正孔を内部に発生させる。画素周辺領域522は、基板501内において画素領域521に隣接するように形成され、入射した光に応じて電子および正孔を内部に発生させる。n領域513は、画素周辺領域522内に形成され、画素周辺領域522で発生した電子を吸収する。不要キャリア排出用電極503は、基板501上に形成され、n領域513内に吸収された電子をn領域513から排出する。【選択図】図14
請求項（抜粋）：
半導体基板(501)内に形成され、入射した光に応じて電子および正孔を内部に発生させるように構成された少なくとも1つの画素領域(521)と、 前記画素領域内に形成され、前記画素領域で発生した前記電子および前記正孔の何れか一方を第1排出キャリアとして前記第1排出キャリアを吸収するように構成された第1吸収領域(512)と、 前記半導体基板上に形成され、前記第1吸収領域内に吸収された前記第1排出キャリアを前記第1吸収領域から排出するように構成された第1排出電極(516)と、 前記半導体基板内において前記画素領域に隣接するように形成され、入射した光に応じて電子および正孔を内部に発生させるように構成された画素周辺領域(522)と、 前記画素周辺領域内に形成され、前記画素周辺領域で発生した前記電子および前記正孔のうち前記第1排出キャリアと同じキャリアを第2排出キャリアとして前記第2排出キャリアを吸収するように構成された第2吸収領域(513)と、 前記半導体基板上に形成され、前記第2吸収領域内に吸収された前記第2排出キャリアを前記第2吸収領域から排出するように構成された第2排出電極(503)と を備える光検出素子(311)。
IPC (5件)：
H01L 31/107 ,  G01S 7/481 ,  G01S 17/89 ,  H01L 31/023 ,  H01L 31/10
FI (5件)：
H01L31/10 B ,  G01S7/481 A ,  G01S17/89 ,  H01L31/02 D ,  H01L31/10 H
Fターム (26件)：
5F849AA07 ,  5F849AB02 ,  5F849BA17 ,  5F849BB07 ,  5F849DA50 ,  5F849EA03 ,  5F849EA16 ,  5F849FA05 ,  5F849FA12 ,  5F849FA15 ,  5F849HA03 ,  5F849JA11 ,  5F849JA12 ,  5F849XB04 ,  5F849XB38 ,  5J084AB16 ,  5J084AB17 ,  5J084AC02 ,  5J084BA04 ,  5J084BA36 ,  5J084BA40 ,  5J084BB10 ,  5J084BB28 ,  5J084CA65 ,  5J084DA05 ,  5J084EA07
引用特許：
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM