特許
J-GLOBAL ID：202003014925196368
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-016201
公開番号（公開出願番号）：特開2017-135339
特許番号：特許第6676988号
出願日： 2016年01月29日
公開日（公表日）： 2017年08月03日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 縦型半導体素子を有する半導体装置であって、
半導体基板(10)によって構成され、第1導電型不純物濃度が前記半導体基板の第1導電型不純物濃度とされた第1導電型のドリフト層(1)と、
前記ドリフト層の裏面側に形成された第1導電型または第2導電型の半導体層(21、22)と、
前記半導体基板の表面側に形成された第2導電型領域(12、15)と、
前記半導体基板の表面側に形成され、前記第2導電型領域に接続させられた上部電極(19)と、
前記半導体基板の裏面側に形成され、前記半導体層と接続させられた下部電極(23)とを備え、
さらに、前記ドリフト層のうち、前記半導体基板の表面側から前記半導体基板の厚みの15%以上かつ35%以下の深さとなる位置に、該ドリフト層よりも第1不純物濃度が高くされた中間フィールドストップ層(25)を備え、
前記中間フィールドストップ層は、第1導電型不純物濃度が前記ドリフト層の2倍以上かつ7倍以下の濃度であり、
前記縦型半導体素子はIGBTおよびフリーホイールダイオードであり、
前記半導体層は、前記IGBTが形成されたIGBT領域(1a)と前記フリーホイールダイオードが形成されたダイオード領域(1b)の双方に形成されている半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 29/739 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/06 ( 200 6.01)
, H01L 29/861 ( 200 6.01)
, H01L 29/868 ( 200 6.01)
, H01L 21/8234 ( 200 6.01)
, H01L 27/06 ( 200 6.01)
H01L 29/78 655 A
, H01L 29/78 652 K
, H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 652 D
, H01L 29/78 652 J
, H01L 29/78 655 F
, H01L 29/78 657 D
, H01L 29/78 658 H
, H01L 29/78 658 A
, H01L 29/06 301 V
, H01L 29/06 301 G
, H01L 29/91 J
, H01L 29/91 C
, H01L 29/91 L
, H01L 27/06 102 A
