特許
J-GLOBAL ID：202003015472335554
半導体装置及び半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊東 忠重
, 伊東 忠彦
, 加藤 隆夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-124440
公開番号（公開出願番号）：特開2017-228685
特許番号：特許第6772579号
出願日： 2016年06月23日
公開日（公表日）： 2017年12月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板の上に、窒化物半導体により形成された第1の半導体層と、
前記第1の半導体層の上に、窒化物半導体により形成された第2の半導体層と、
前記第2の半導体層の上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、
前記第2の半導体層の上に形成された第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜の上に形成された第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜の上に形成されたゲート電極と、
を有し、
前記第1の絶縁膜は、前記第2の半導体層の側にSiの窒化物により形成された窒化物膜と、前記窒化物膜の上にSiの酸窒化物により形成された酸窒化物膜と、を有し、
前記酸窒化物膜の膜厚は、2〜3nmであり、
前記第2の絶縁膜は、Alの酸化物により形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/338 ( 200 6.01)
, H01L 29/778 ( 200 6.01)
, H01L 29/812 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 21/316 ( 200 6.01)
H01L 29/80 H
, H01L 29/78 301 B
, H01L 29/78 301 G
, H01L 21/316 C
, H01L 21/316 M
