特許
J-GLOBAL ID：200903058496571197

窒化物含有半導体装置

発明者：
齋 藤 渉

齋 藤 渉 について

, 
大 村 一 郎

大 村 一 郎 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (6件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康 ,  高橋 佳大
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-207409
公開番号（公開出願番号）：特開2006-032552
出願日： 2004年07月14日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：
【課題】 ゲート絶縁膜と半導体層との間に良好な界面が形成され、ゲートリーク電流の小さい窒化物含有半導体装置を提供する。【解決手段】 本発明の実施の一形態に係る窒化物含有半導体装置は、チャネル層として形成されたノンドープの第1の窒化アルミニウムガリウム(AlxGa1-xN(0≦x≦1))層と、第1の窒化アルミニウムガリウム層上にバリア層として形成されたノンドープ又はn型の第2の窒化アルミニウムガリウム(AlyGa1-yN(0≦y≦1,x<y))層と、第2の窒化アルミニウムガリウム層上にゲート絶縁膜下層として形成された窒化アルミニウム(AlN)膜と、窒化アルミニウム膜上にゲート絶縁膜上層として形成された酸化アルミニウム(Al2O3)膜と、第2の窒化アルミニウムガリウム層にそれぞれ電気的に接続されるように第1及び第2の主電極として形成されたソース電極及びドレイン電極と、酸化アルミニウム膜上に制御電極として形成されたゲート電極と、を備えているものである。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
チャネル層として形成されたノンドープの第1の窒化アルミニウムガリウム(AlxGa1-xN(0≦x≦1))層と、 前記第1の窒化アルミニウムガリウム層上にバリア層として形成されたノンドープ又はn型の第2の窒化アルミニウムガリウム(AlyGa1-yN(0≦y≦1,x<y))層と、 前記第2の窒化アルミニウムガリウム層上にゲート絶縁膜下層として形成された窒化アルミニウム(AlN)膜と、 前記窒化アルミニウム膜上にゲート絶縁膜上層として形成された酸化アルミニウム(Al2O3)膜と、 前記第2の窒化アルミニウムガリウム層にそれぞれ電気的に接続されるように第1及び第2の主電極として形成されたソース電極及びドレイン電極と、 前記酸化アルミニウム膜上に制御電極として形成されたゲート電極と、 を備えていることを特徴とする窒化物含有半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/41
FI (6件)：
H01L29/78 301G ,  H01L29/06 301F ,  H01L29/80 Q ,  H01L29/80 F ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/44 Y
Fターム (38件)：
4M104AA04 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104FF10 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG12 ,  4M104GG14 ,  4M104HH15 ,  4M104HH18 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GM08 ,  5F102GR09 ,  5F102GT06 ,  5F102GV05 ,  5F102GV07 ,  5F102HC01 ,  5F140AA19 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BB01 ,  5F140BB18 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD11 ,  5F140BE08 ,  5F140BE09 ,  5F140BH12 ,  5F140BH13 ,  5F140CD09
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-056788   出願人：ソニー株式会社
審査官引用 (6件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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