特許
J-GLOBAL ID：201403010484716103

半導体装置

発明者：
金村 雅仁

金村 雅仁 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (3件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦 ,  山口 昭則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-055667
公開番号（公開出願番号）：特開2014-183125
出願日： 2013年03月18日
公開日（公表日）： 2014年09月29日
要約：
【課題】容易に製造をすることができ、ノーマリーオフ動作をさせることができ、均一性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】基板11の上に形成された第1の半導体層12と、第1の半導体層12の上に形成された第2の半導体層13と、第2の半導体層13の上に形成された第1の絶縁層31と、第1の絶縁層31の上に形成された第2の絶縁層32と、第2の絶縁層32の上に形成されたゲート電極41と、を有し、第1の絶縁層31は、SiO2を含む材料により形成されており、第2の絶縁層32は、Al2O3、ZrO2、Ta2O5、Ga2O3、HfO2のうちから選ばれる1または2以上を含む材料により形成されている半導体装置。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板の上に形成された第1の半導体層と、 前記第1の半導体層の上に形成された第2の半導体層と、 前記第2の半導体層の上に形成された第1の絶縁層と、 前記第1の絶縁層の上に形成された第2の絶縁層と、 前記第2の絶縁層の上に形成されたゲート電極と、 を有し、 前記第1の絶縁層は、SiO2を含む材料により形成されており、 前記第2の絶縁層は、Al2O3、ZrO2、Ta2O5、Ga2O3、HfO2のうちから選ばれる1または2以上を含む材料により形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/316
FI (3件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/78 301B ,  H01L21/316 X
Fターム (55件)：
5F058BB01 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BF37 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GN08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS01 ,  5F102GS04 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102GV09 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BA16 ,  5F140BB06 ,  5F140BB18 ,  5F140BC12 ,  5F140BD01 ,  5F140BD06 ,  5F140BD11 ,  5F140BE09 ,  5F140BE16 ,  5F140BF05 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF43 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ17 ,  5F140BK38 ,  5F140CB04 ,  5F140CC03 ,  5F140CC08 ,  5F140CC11 ,  5F140CC12 ,  5F140CE02
引用特許：
審査官引用 (6件)
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