特許
J-GLOBAL ID:202003015686985246
メモリデバイス
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (5件):
蔵田 昌俊
, 野河 信久
, 峰 隆司
, 河野 直樹
, 金子 早苗
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-540565
特許番号:特許第6721696号
出願日: 2016年09月23日
請求項(抜粋):
【請求項1】 第1の回路、第1の端子及び第2の端子を含む第1のメモリチップと、
第2の回路、及び、第3の端子を含む第2のメモリチップと、
データの入出力回路、第1の電圧生成回路、及び、第2の電圧生成回路を含むインターフェイスチップと、
を具備し、
前記第2のメモリチップは、前記第1のメモリチップの上方に設けられ、
前記インターフェイスチップは、前記第1のメモリチップの下方に設けられ、
前記入出力回路は、前記インターフェイスチップの第1の領域内に設けられ、
前記第1及び第2の電圧生成回路は、前記インターフェイスチップの第2の領域内に設けられ、
前記第1の領域と前記第2の領域との間に、第3の領域が設けられ、
前記第3の領域は、前記第1の領域を、前記第2の領域から電気的に分離し、
前記第1の端子の第1の端部は、前記第1の回路に電気的に接続され、前記第1の端子の第2の端部は、前記第1の電圧生成回路に電気的に接続され、
前記第2の端子の第3の端部は、前記第3の端子に電気的に接続され、前記第2の端子の第4の端部は、前記第2の電圧生成回路に電気的に接続され、
前記第3の端子の第5の端部は、前記第2の回路に電気的に接続され、前記第3の端子の第6の端部は、前記第2の端子を介して前記第2の電圧生成回路に電気的に接続され、
前記第1のメモリチップの表面に対して垂直方向において、前記第3の端部は前記第4の端部と重ならず、前記第3の端部は前記第6の端部と重なる
メモリデバイス。
IPC (12件):
H01L 27/10 ( 200 6.01)
, H01L 27/1158 ( 201 7.01)
, H01L 27/1155 ( 201 7.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/788 ( 200 6.01)
, H01L 29/792 ( 200 6.01)
, G11C 5/04 ( 200 6.01)
, G11C 16/30 ( 200 6.01)
, G11C 7/22 ( 200 6.01)
, H01L 25/065 ( 200 6.01)
, H01L 25/07 ( 200 6.01)
, H01L 25/18 ( 200 6.01)
FI (8件):
H01L 27/10 495
, H01L 27/115 2
, H01L 27/115 6
, H01L 29/78 371
, G11C 5/04 210
, G11C 16/30 100
, G11C 7/22
, H01L 25/08 C
引用特許:
出願人引用 (7件)
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メモリシステム
公報種別:公開公報
出願番号:特願2010-199381
出願人:株式会社東芝
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半導体装置及びその電源供給方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-345439
出願人:エルピーダメモリ株式会社
-
半導体チップ及び半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-000591
出願人:日本電気株式会社, エルピーダメモリ株式会社
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審査官引用 (7件)
-
メモリシステム
公報種別:公開公報
出願番号:特願2010-199381
出願人:株式会社東芝
-
半導体装置及びその電源供給方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-345439
出願人:エルピーダメモリ株式会社
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半導体チップ及び半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-000591
出願人:日本電気株式会社, エルピーダメモリ株式会社
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